氮化物外延片及其制备方法和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010418395.2
申请日
2020-05-18
公开(公告)号
CN111682061A
公开(公告)日
2020-09-18
发明(设计)人
陈智斌 黄伯宁
申请人
申请人地址
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2102
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
熊永强;李稷芳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物外延结构和半导体器件 [P]. 
陈智斌 ;
罗睿宏 .
中国专利 :CN114256057A ,2022-03-29
[2]
一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN118173679A ,2024-06-11
[3]
一种氮化物外延片及半导体器件 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN221928085U ,2024-10-29
[4]
氮化物外延片及其制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN118198217A ,2024-06-14
[5]
一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114574959A ,2022-06-03
[6]
氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114574960A ,2022-06-03
[7]
Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P]. 
田边达也 ;
三浦广平 ;
木山诚 ;
樱田隆 .
中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23
[8]
Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P]. 
三浦广平 ;
木山诚 ;
樱田隆 .
中国专利 :CN1993834A ,2007-07-04
[9]
P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件 [P]. 
周溯沅 ;
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114843174A ,2022-08-02
[10]
氮化物半导体器件及其制备方法 [P]. 
神川刚 ;
川口佳伸 .
中国专利 :CN101499620A ,2009-08-05