一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片

被引：0

申请号：

CN202210088147.5

申请日：

2022-01-25

公开(公告)号：

CN114574959A

公开(公告)日：

2022-06-03

发明(设计)人：

闫其昂王国斌

申请人：

申请人地址：

215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2514 C30B2940 H01L3300 H01L3306 H01L3312

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

朱振德;唐灵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20220125
2022-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114574960A ,2022-06-03

[2]

氮化物外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

陈智斌 ;

黄伯宁 .

中国专利 :CN111682061A ,2020-09-18

[3]

氮化物半导体外延片及其制备工艺 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN120006393A ,2025-05-16

[4]

氮化物外延片及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN118198217A ,2024-06-14

[5]

一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN118173679A ,2024-06-11

[6]

氮化物半导体外延片的制造方法及氮化物半导体外延片用复合基板 [P].

土屋庆太郎 ;

久保埜一平 ;

萩本和德 .

日本专利 :CN119998503A ,2025-05-13

[7]

一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

奚明 ;

马悦 .

中国专利 :CN106030829A ,2016-10-12

[8]

氮化物外延层及其制备方法 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108428619A ,2018-08-21

[9]

氮化物半导体外延结构 [P].

胡智威 ;

蔡清富 ;

蔡长祐 ;

陈威佑 .

中国专利 :CN114823853B ,2024-01-30

[10]

氮化物半导体外延结构 [P].

胡智威 ;

蔡清富 ;

蔡长祐 ;

陈威佑 .

中国专利 :CN114823853A ,2022-07-29

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