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一种氮化物外延片及其制备方法和半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211584801.8
申请日：
2022-12-09
公开(公告)号：
CN118173679A
公开(公告)日：
2024-06-11
发明(设计)人：
闫其昂 王国斌
申请人：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
IPC主分类号：
H01L33/12
IPC分类号：
H01L33/32 H01L33/00 B82Y20/00 B82Y40/00
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
刘二艳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/12申请日:20221209
2024-06-11 公开 公开
共 50 条
[1]
氮化物外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
陈智斌 ;
黄伯宁 .
中国专利 :CN111682061A ,2020-09-18
[2]
一种氮化物外延片及半导体器件 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN221928085U ,2024-10-29
[3]
氮化物外延结构和半导体器件 [P]. 
陈智斌 ;
罗睿宏 .
中国专利 :CN114256057A ,2022-03-29
[4]
一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114574959A ,2022-06-03
[5]
氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114574960A ,2022-06-03
[6]
氮化物外延片及其制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN118198217A ,2024-06-14
[7]
一种P型氮化物外延结构、制备方法及半导体器件 [P]. 
王国斌 ;
周溯沅 .
中国专利 :CN114512395B ,2022-05-17
[8]
P型氮化物外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件 [P]. 
周溯沅 ;
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114843174A ,2022-08-02
[9]
一种复合衬底氮化物外延片及其制备方法 [P]. 
苗操 ;
刘兆平 .
中国专利 :CN120690672A ,2025-09-23
[10]
一种氮化物外延结构及其制备方法 [P]. 
赖穆人 ;
刘锐森 ;
刘召忠 ;
蓝文新 .
中国专利 :CN114171647A ,2022-03-11
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