用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980034252.7

申请日：

2019-04-05

公开(公告)号：

CN112166167B

公开(公告)日：

2021-01-01

发明(设计)人：

黄基煜高尙兰赵娟振崔正敏韩权愚张俊英尹龙云

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(邮递区号:17084)

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨贝贝;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	授权	授权
2021-01-01	公开	公开
2021-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20190405

共 50 条

[1]

用于氮化硅的蚀刻组成物与半导体元件的蚀刻方法 [P].

黄基煜 ;

高尚兰 ;

赵娟振 ;

崔正敏 .

中国专利 :CN111836873B ,2020-10-27

[2]

用于氮化硅膜的蚀刻组成物及用于蚀刻半导体装置的方法 [P].

黄基煜 ;

赵娟振 ;

崔正敏 ;

韩权愚 ;

高尙兰 ;

金高恩 .

中国专利 :CN112384596B ,2021-02-19

[3]

氮化硅蚀刻液组成物 [P].

大和田拓央 ;

吉田勇喜 ;

持田耕平 ;

仓本蕗人 .

日本专利 :CN118435329A ,2024-08-02

[4]

蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法 [P].

吕志鹏 ;

陈韵慈 ;

廖本男 ;

李懿 .

中国专利 :CN108998032B ,2018-12-14

[5]

用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P].

崔正敏 ;

张俊英 ;

金贤贞 ;

文炯朗 ;

李智惠 ;

韩权愚 ;

黄基煜 .

中国专利 :CN112680228B ,2021-04-20

[6]

用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P].

文炯朗 ;

崔正敏 ;

李圭原 ;

张俊英 ;

尹志贤 ;

李智惠 ;

李在珉 ;

赵娟振 ;

韩美莲 ;

金贤贞 .

韩国专利 :CN115895662B ,2024-09-13

[7]

氮化硅膜蚀刻组合物和使用其的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

中国专利 :CN114250075A ,2022-03-29

[8]

用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法 [P].

崔正敏 ;

赵娟振 ;

黄基煜 ;

高尚兰 .

中国专利 :CN110437837B ,2019-11-12

[9]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

韩国专利 :CN114250076B ,2025-12-26

[10]

氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

洪性俊 ;

李明镐 ;

宋明根 ;

金薰植 ;

高在中 ;

李鸣仪 ;

黄俊赫 .

中国专利 :CN114250076A ,2022-03-29

← 1 2 3 4 5 →