用于氮化硅的蚀刻组成物与半导体元件的蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980018129.6

申请日：

2019-03-12

公开(公告)号：

CN111836873B

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

黄基煜高尚兰赵娟振崔正敏

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(邮递区号:17084)

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨文娟;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	公开	公开
2022-06-07	授权	授权
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20190312

共 50 条

[1]

用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法 [P].

黄基煜 ;

高尙兰 ;

赵娟振 ;

崔正敏 ;

韩权愚 ;

张俊英 ;

尹龙云 .

中国专利 :CN112166167B ,2021-01-01

[2]

用于氮化硅膜的蚀刻组成物及用于蚀刻半导体装置的方法 [P].

黄基煜 ;

赵娟振 ;

崔正敏 ;

韩权愚 ;

高尙兰 ;

金高恩 .

中国专利 :CN112384596B ,2021-02-19

[3]

氮化硅的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

松井一真 .

中国专利 :CN113811984A ,2021-12-17

[4]

氮化硅蚀刻液组成物 [P].

大和田拓央 ;

吉田勇喜 ;

持田耕平 ;

仓本蕗人 .

日本专利 :CN118435329A ,2024-08-02

[5]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[6]

用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P].

崔正敏 ;

张俊英 ;

金贤贞 ;

文炯朗 ;

李智惠 ;

韩权愚 ;

黄基煜 .

中国专利 :CN112680228B ,2021-04-20

[7]

氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

曹长佑 ;

金泰镐 ;

李明护 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110872516B ,2020-03-10

[8]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[9]

用于湿法蚀刻氮化硅的组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

林娥铉 ;

李浚宇 .

中国专利 :CN110551503A ,2019-12-10

[10]

蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法 [P].

韩勋 ;

裴相元 ;

洪荣泽 ;

朴宰完 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

中国专利 :CN109749743A ,2019-05-14

← 1 2 3 4 5 →