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蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810568337.0
申请日
:
2018-06-05
公开(公告)号
:
CN108998032B
公开(公告)日
:
2018-12-14
发明(设计)人
:
吕志鹏
陈韵慈
廖本男
李懿
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾桃园市芦竹区南崁路2段222号6楼
IPC主分类号
:
C09K1302
IPC分类号
:
H01L21306
H01L213213
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
崔亚松
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/02 申请日:20180605
2018-12-14
公开
公开
2021-06-04
授权
授权
共 50 条
[1]
蚀刻液组成物
[P].
李昔准
论文数:
0
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李昔准
;
慎蕙驘
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慎蕙驘
;
权五柄
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权五柄
;
李喻珍
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李喻珍
.
中国专利
:CN102753652B
,2012-10-24
[2]
蚀刻液组成物
[P].
慎蕙驘
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慎蕙驘
;
刘仁浩
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刘仁浩
;
权五柄
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权五柄
;
李喻珍
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李喻珍
.
中国专利
:CN102597163B
,2012-07-18
[3]
蚀刻液组成物及其蚀刻方法
[P].
陈政裕
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机构:
三福化工股份有限公司
三福化工股份有限公司
陈政裕
;
陈怡静
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机构:
三福化工股份有限公司
三福化工股份有限公司
陈怡静
;
张景棠
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机构:
三福化工股份有限公司
三福化工股份有限公司
张景棠
.
中国专利
:CN117467442A
,2024-01-30
[4]
蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法
[P].
廖本男
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廖本男
;
廖伯轩
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廖伯轩
;
张善钧
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张善钧
;
李盈壕
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李盈壕
;
吕志鹏
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吕志鹏
.
中国专利
:CN105887089B
,2016-08-24
[5]
用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法
[P].
黄基煜
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黄基煜
;
高尙兰
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高尙兰
;
赵娟振
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赵娟振
;
崔正敏
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崔正敏
;
韩权愚
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韩权愚
;
张俊英
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张俊英
;
尹龙云
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尹龙云
.
中国专利
:CN112166167B
,2021-01-01
[6]
用于铜/钼金属的蚀刻液组成物及蚀刻方法
[P].
林震威
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林震威
;
蔡墨勋
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蔡墨勋
.
中国专利
:CN101418449A
,2009-04-29
[7]
蚀刻液组成物及其应用
[P].
张伟明
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
张伟明
;
朱旺
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
朱旺
;
章学春
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
章学春
;
衡京
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
衡京
;
聂航
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
聂航
.
中国专利
:CN120758882A
,2025-10-10
[8]
蚀刻组成物
[P].
水谷笃史
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机构:
富士胶片电子材料美国有限公司
富士胶片电子材料美国有限公司
水谷笃史
.
美国专利
:CN120981430A
,2025-11-18
[9]
蚀刻组成物
[P].
D·迪内加
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机构:
富士胶片电子材料美国有限公司
富士胶片电子材料美国有限公司
D·迪内加
;
T·多瑞
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机构:
富士胶片电子材料美国有限公司
富士胶片电子材料美国有限公司
T·多瑞
.
美国专利
:CN119013768A
,2024-11-22
[10]
蚀刻液、该蚀刻液的制造方法和使用该蚀刻液的蚀刻方法
[P].
河野良
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河野良
;
加藤胜
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加藤胜
.
中国专利
:CN103132078A
,2013-06-05
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