蚀刻液、该蚀刻液的制造方法和使用该蚀刻液的蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210506721.0

申请日：

2012-11-30

公开(公告)号：

CN103132078A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

河野良加藤胜

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23F116

IPC分类号：

C23F118 C23F126

代理机构：

北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270

代理人：

蒋雅洁;孟桂超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	公开	公开
2015-07-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101718142288 IPC(主分类):C23F 1/16 专利申请号:2012105067210 申请公布日:20130605

共 50 条

[1]

蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法 [P].

吕志鹏 ;

陈韵慈 ;

廖本男 ;

李懿 .

中国专利 :CN108998032B ,2018-12-14

[2]

蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法 [P].

廖本男 ;

廖伯轩 ;

张善钧 ;

李盈壕 ;

吕志鹏 .

中国专利 :CN105887089B ,2016-08-24

[3]

钛和/或钛合金的蚀刻液、使用该蚀刻液的钛和/或钛合金的蚀刻方法、以及使用该蚀刻液的基板的制造方法 [P].

内藤幸英 ;

松永裕嗣 ;

玉井聪 .

中国专利 :CN115428129A ,2022-12-02

[4]

蚀刻液和使用其的蚀刻方法和使用该蚀刻方法得到的基板 [P].

山田洋三 ;

本望圭纮 ;

后藤敏之 .

中国专利 :CN106400017B ,2017-02-15

[5]

蚀刻液和蚀刻方法 [P].

吴豪旭 .

中国专利 :CN113529085A ,2021-10-22

[6]

蚀刻方法和蚀刻液 [P].

石川诚 ;

鎌田浩史 .

中国专利 :CN1946877A ,2007-04-11

[7]

蚀刻液和使用了该蚀刻液的硅系基板的制造方法 [P].

大内直子 ;

柿泽政彦 ;

鹤本浩之 ;

渡边照巳 ;

河原进士 .

中国专利 :CN104303317A ,2015-01-21

[8]

硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法 [P].

清家吉贵 ;

东野诚司 ;

小林健司 ;

根来世 .

中国专利 :CN111518562A ,2020-08-11

[9]

蚀刻方法及蚀刻液 [P].

宋智辉 ;

王辉 ;

廖辉华 ;

康报虹 .

中国专利 :CN115132584A ,2022-09-30

[10]

蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统 [P].

伊豆田信彦 ;

村田贡 .

中国专利 :CN100336182C ,2004-05-12

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