蚀刻液组成物及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510965295.4

申请日：

2025-07-11

公开(公告)号：

CN120758882A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

张伟明朱旺章学春衡京聂航

申请人：

上海盛剑微电子有限公司

申请人地址：

201400 上海市奉贤区舜工路38号24幢

IPC主分类号：

C23F1/18

IPC分类号：

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

张家蕊

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23F 1/18申请日:20250711

共 50 条

[1]

蚀刻液组成物及其蚀刻方法 [P].

陈政裕 ;

陈怡静 ;

张景棠 .

中国专利 :CN117467442A ,2024-01-30

[2]

蚀刻液组成物 [P].

李昔准 ;

慎蕙驘 ;

权五柄 ;

李喻珍 .

中国专利 :CN102753652B ,2012-10-24

[3]

蚀刻液组成物 [P].

慎蕙驘 ;

刘仁浩 ;

权五柄 ;

李喻珍 .

中国专利 :CN102597163B ,2012-07-18

[4]

蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法 [P].

吕志鹏 ;

陈韵慈 ;

廖本男 ;

李懿 .

中国专利 :CN108998032B ,2018-12-14

[5]

蚀刻膏组成物及其应用 [P].

刘骐铭 ;

施俊安 .

中国专利 :CN104119921A ,2014-10-29

[6]

蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法 [P].

金妍伶 .

中国专利 :CN115368899A ,2022-11-22

[7]

蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法 [P].

金妍伶 .

中国专利 :CN115368899B ,2025-07-04

[8]

氧化铝蚀刻液及其制备方法、应用 [P].

张伟明 ;

章学春 .

中国专利 :CN119081701A ,2024-12-06

[9]

一种铜蚀刻液及蚀刻液的制备方法、蚀刻方法、应用 [P].

徐杨 ;

李涛 ;

朱龙 ;

殷福华 ;

邵勇 ;

陈林 ;

任奕宇 ;

顾梦佳 .

中国专利 :CN117802502A ,2024-04-02

[10]

氮化硅蚀刻液组成物 [P].

大和田拓央 ;

吉田勇喜 ;

持田耕平 ;

仓本蕗人 .

日本专利 :CN118435329A ,2024-08-02

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