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蚀刻组成物
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202380026800.8
申请日
:
2023-02-14
公开(公告)号
:
CN119013768A
公开(公告)日
:
2024-11-22
发明(设计)人
:
D·迪内加
T·多瑞
申请人
:
富士胶片电子材料美国有限公司
申请人地址
:
美国罗得岛州
IPC主分类号
:
H01L21/306
IPC分类号
:
H01L21/3213
代理机构
:
北京博思佳知识产权代理有限公司 11415
代理人
:
方志炜
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/306申请日:20230214
2024-11-22
公开
公开
共 50 条
[1]
蚀刻组成物
[P].
水谷笃史
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
富士胶片电子材料美国有限公司
富士胶片电子材料美国有限公司
水谷笃史
.
美国专利
:CN120981430A
,2025-11-18
[2]
蚀刻液组成物
[P].
李昔准
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李昔准
;
慎蕙驘
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慎蕙驘
;
权五柄
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权五柄
;
李喻珍
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李喻珍
.
中国专利
:CN102753652B
,2012-10-24
[3]
蚀刻液组成物
[P].
慎蕙驘
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慎蕙驘
;
刘仁浩
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刘仁浩
;
权五柄
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权五柄
;
李喻珍
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李喻珍
.
中国专利
:CN102597163B
,2012-07-18
[4]
蚀刻液组成物及使用该蚀刻液组成物的蚀刻方法
[P].
吕志鹏
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吕志鹏
;
陈韵慈
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陈韵慈
;
廖本男
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廖本男
;
李懿
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李懿
.
中国专利
:CN108998032B
,2018-12-14
[5]
蚀刻液组成物及其蚀刻方法
[P].
陈政裕
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机构:
三福化工股份有限公司
三福化工股份有限公司
陈政裕
;
陈怡静
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机构:
三福化工股份有限公司
三福化工股份有限公司
陈怡静
;
张景棠
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机构:
三福化工股份有限公司
三福化工股份有限公司
张景棠
.
中国专利
:CN117467442A
,2024-01-30
[6]
用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法
[P].
黄基煜
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黄基煜
;
高尙兰
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高尙兰
;
赵娟振
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赵娟振
;
崔正敏
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崔正敏
;
韩权愚
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韩权愚
;
张俊英
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张俊英
;
尹龙云
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尹龙云
.
中国专利
:CN112166167B
,2021-01-01
[7]
蚀刻液组成物及其应用
[P].
张伟明
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
张伟明
;
朱旺
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
朱旺
;
章学春
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
章学春
;
衡京
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
衡京
;
聂航
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机构:
上海盛剑微电子有限公司
上海盛剑微电子有限公司
聂航
.
中国专利
:CN120758882A
,2025-10-10
[8]
蚀刻膏组成物及其应用
[P].
刘骐铭
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刘骐铭
;
施俊安
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施俊安
.
中国专利
:CN104119921A
,2014-10-29
[9]
树脂组成物、抗蚀刻层以及蚀刻方法
[P].
陈禹宁
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机构:
新应材股份有限公司
新应材股份有限公司
陈禹宁
;
何绍礼
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机构:
新应材股份有限公司
新应材股份有限公司
何绍礼
;
林家正
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机构:
新应材股份有限公司
新应材股份有限公司
林家正
;
陈晖儒
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机构:
新应材股份有限公司
新应材股份有限公司
陈晖儒
.
中国专利
:CN116426170B
,2024-12-27
[10]
液体蚀刻剂组成物以及蚀刻过程
[P].
麦可·崔斯坦·安德烈斯
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麦可·崔斯坦·安德烈斯
.
中国专利
:CN104795320A
,2015-07-22
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