一种纳米级图形化衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210563911.6

申请日：

2012-12-21

公开(公告)号：

CN103066170A

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

毕少强

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	授权	授权
2018-07-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20180627 变更事项:专利权人变更前权利人:映瑞光电科技（上海）有限公司变更后权利人:镓特半导体科技（上海）有限公司变更事项:地址变更前权利人:201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号变更后权利人:201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室
2013-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101461520785 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012105639116 申请日:20121221
2013-04-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米级图形化衬底的制造方法 [P].

毕少强 .

中国专利 :CN103022281B ,2013-04-03

[2]

一种纳米级图形化衬底的制造方法 [P].

毕少强 .

中国专利 :CN102983235B ,2013-03-20

[3]

一种纳米级图形化衬底的制造方法 [P].

毕少强 .

中国专利 :CN102945900B ,2013-02-27

[4]

一种纳米级图形化衬底的制造方法 [P].

毕少强 .

中国专利 :CN103035788A ,2013-04-10

[5]

一种纳米级图形化衬底及其制作方法 [P].

王晓东 ;

段瑞飞 ;

王军喜 ;

曾一平 ;

付强 .

中国专利 :CN107863428A ,2018-03-30

[6]

一种纳米图形化衬底 [P].

梁宗文 ;

吴自力 ;

孙智江 .

中国专利 :CN206584948U ,2017-10-24

[7]

一种图形化衬底、掩膜版及图形化衬底的制造方法 [P].

丁海生 ;

李东昇 ;

马新刚 ;

江忠永 ;

张昊翔 ;

王洋 ;

李超 ;

黄捷 ;

黄敬 .

中国专利 :CN102694094B ,2012-09-26

[8]

图形化衬底、LED外延结构及图形化衬底制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113745383A ,2021-12-03

[9]

一种图形化衬底及图形化衬底的加工方法 [P].

马亮 ;

胡兵 ;

裴晓将 ;

李金权 ;

刘素娟 .

中国专利 :CN104319324A ,2015-01-28

[10]

用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法 [P].

张佰君 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101640169B ,2010-02-03

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