一种二维金属化合物材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611221225.5
申请日
2016-12-26
公开(公告)号
CN106672921A
公开(公告)日
2017-05-17
发明(设计)人
周军 黄亮 于慧敏 黎天琦 高翔 吴佳宾 肖旭
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号
C01B2106
IPC分类号
B82Y3000 B82Y4000 C01B32949 C01G3906 C01B2508
代理机构
华中科技大学专利中心 42201
代理人
赵伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种二维过渡金属化合物纳米片的制备方法 [P]. 
霍开富 ;
谭茂梁 ;
霍瑞 ;
宋豪 ;
李文海 .
中国专利 :CN118108254A ,2024-05-31
[2]
一种二维层状过渡金属化合物的制备方法 [P]. 
张军 ;
曹博 ;
刘宝仓 ;
荆鹏 ;
成艳 .
中国专利 :CN109879260A ,2019-06-14
[3]
一种利用体相层状过渡金属硫化物制备非层状二维过渡金属化合物的方法 [P]. 
霍开富 ;
宋豪 ;
张旭明 ;
任玉磊 .
中国专利 :CN113479855B ,2021-10-08
[4]
可分解碱金属化合物辅助制备二维过渡金属氮化物的方法 [P]. 
霍开富 ;
王文瑾 ;
宋豪 .
中国专利 :CN112830459A ,2021-05-25
[5]
石墨烯包覆二维金属化合物电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王敬 ;
郝雪纯 ;
谭国强 ;
王冉 ;
苏岳锋 ;
吴锋 .
中国专利 :CN114242982A ,2022-03-25
[6]
一种通用的纳米多孔二维金属化合物制备方法 [P]. 
谭勇文 ;
陈德超 .
中国专利 :CN112938907A ,2021-06-11
[7]
二维过渡金属化合物及其制备方法、电子器件和用途 [P]. 
杨树斌 ;
杜志国 ;
赵麒 .
中国专利 :CN115367755A ,2022-11-22
[8]
二维过渡金属化合物及其制备方法、电子器件和用途 [P]. 
杨树斌 ;
杜志国 ;
赵麒 .
中国专利 :CN115367755B ,2024-04-19
[9]
形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法 [P]. 
包文中 ;
宋雄飞 ;
昝武 ;
许浒 ;
周鹏 ;
张卫 .
中国专利 :CN108364863A ,2018-08-03
[10]
金属化合物膜材料的制备方法 [P]. 
周照耀 .
中国专利 :CN1268417C ,2004-08-25