一种通用的纳米多孔二维金属化合物制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110005931.0

申请日：

2021-01-05

公开(公告)号：

CN112938907A

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

谭勇文陈德超

申请人：

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号湖南大学

IPC主分类号：

C01B1900

IPC分类号：

C01B1904 C01B2106 C01B32949 C01G3700 C01G3906 C01G4100 C01G4700 C01G5100 C01G5500 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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共 50 条

[1]

一种二维过渡金属化合物纳米片的制备方法 [P].

霍开富 ;

谭茂梁 ;

霍瑞 ;

宋豪 ;

李文海 .

中国专利 :CN118108254A ,2024-05-31

[2]

一种二维金属化合物材料的制备方法 [P].

周军 ;

黄亮 ;

于慧敏 ;

黎天琦 ;

高翔 ;

吴佳宾 ;

肖旭 .

中国专利 :CN106672921A ,2017-05-17

[3]

一种纳米多孔金属化合物材料、制备方法及应用 [P].

谭勇文 ;

蒋康 ;

彭鸣 ;

蓝蛟 .

中国专利 :CN109734065A ,2019-05-10

[4]

一种二维层状过渡金属化合物的制备方法 [P].

张军 ;

曹博 ;

刘宝仓 ;

荆鹏 ;

成艳 .

中国专利 :CN109879260A ,2019-06-14

[5]

制备金属化合物的方法 [P].

F·莱曼 ;

U·基特尔曼 .

中国专利 :CN102803272A ,2012-11-28

[6]

一种分级结构金属化合物/多孔碳纳米棒的制备方法 [P].

卜显和 ;

孔令俊 ;

王超鹏 .

中国专利 :CN106410145A ,2017-02-15

[7]

一种利用体相层状过渡金属硫化物制备非层状二维过渡金属化合物的方法 [P].

霍开富 ;

宋豪 ;

张旭明 ;

任玉磊 .

中国专利 :CN113479855B ,2021-10-08

[8]

二维过渡金属化合物及其制备方法、电子器件和用途 [P].

杨树斌 ;

杜志国 ;

赵麒 .

中国专利 :CN115367755A ,2022-11-22

[9]

二维过渡金属化合物及其制备方法、电子器件和用途 [P].

杨树斌 ;

杜志国 ;

赵麒 .

中国专利 :CN115367755B ,2024-04-19

[10]

制备β-二酮化合物、其金属配合物和金属化合物的方法 [P].

斋藤信 ;

植田隆 ;

谷隆士 ;

中村圭一 .

中国专利 :CN100572352C ,2006-07-19

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B 19/00 申请公布日:20210611
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/00 申请日:20210105
2021-06-11	公开	公开