薄膜晶体管及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200410034670.1
申请日
2004-04-16
公开(公告)号
CN100356584C
公开(公告)日
2004-10-20
发明(设计)人
金勋
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L29786
IPC分类号
H01L21336
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
李晓舒;魏晓刚
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
颜硕廷 .
中国专利 :CN101055892A ,2007-10-17
[2]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
大田裕之 .
中国专利 :CN111788663A ,2020-10-16
[3]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
金正晥 ;
朴正根 ;
张宰赫 .
中国专利 :CN102456743B ,2012-05-16
[4]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
李志隆 ;
施博理 .
中国专利 :CN104253158B ,2014-12-31
[5]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
大田裕之 ;
井上智博 .
日本专利 :CN112740420B ,2025-03-11
[6]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
金勋 ;
李基龙 ;
徐晋旭 .
中国专利 :CN1649174A ,2005-08-03
[7]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
宫入秀和 ;
大力浩二 ;
惠木勇司 ;
神保安弘 ;
伊佐敏行 .
中国专利 :CN102007586A ,2011-04-06
[8]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
郑在景 ;
申铉秀 ;
权世烈 ;
牟然坤 .
中国专利 :CN1967876A ,2007-05-23
[9]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
大田裕之 .
中国专利 :CN112236867A ,2021-01-15
[10]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
中岛都 ;
宫入秀和 ;
伊佐敏行 ;
加藤绘里香 ;
一条充弘 ;
栗城和贵 ;
横井智和 .
中国专利 :CN101937932B ,2011-01-05