薄膜晶体管及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610060273.0
申请日
2006-04-12
公开(公告)号
CN101055892A
公开(公告)日
2007-10-17
发明(设计)人
颜硕廷
申请人
申请人地址
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
IPC主分类号
H01L29786
IPC分类号
H01L21336
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
郑在景 ;
申铉秀 ;
权世烈 ;
牟然坤 .
中国专利 :CN1967876A ,2007-05-23
[2]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
高胜 ;
柳冬冬 ;
敖伟 ;
袁波 .
中国专利 :CN104733536A ,2015-06-24
[3]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
大田裕之 .
中国专利 :CN111788663A ,2020-10-16
[4]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
金正晥 ;
朴正根 ;
张宰赫 .
中国专利 :CN102456743B ,2012-05-16
[5]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
李志隆 ;
施博理 .
中国专利 :CN104253158B ,2014-12-31
[6]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
金勋 .
中国专利 :CN100356584C ,2004-10-20
[7]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
大田裕之 ;
井上智博 .
日本专利 :CN112740420B ,2025-03-11
[8]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
金勋 ;
李基龙 ;
徐晋旭 .
中国专利 :CN1649174A ,2005-08-03
[9]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
宫入秀和 ;
大力浩二 ;
惠木勇司 ;
神保安弘 ;
伊佐敏行 .
中国专利 :CN102007586A ,2011-04-06
[10]
薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
大田裕之 .
中国专利 :CN112236867A ,2021-01-15