半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110185003.3

申请日：

2011-06-30

公开(公告)号：

CN102347264A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

高本尚英志贺豪士浅井文辉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2168

IPC分类号：

H01L2178 C09J702

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101406760895 IPC(主分类):H01L 21/68 专利申请号:2011101850033 申请日:20110630
2012-02-08	公开	公开
2016-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法 [P].

高本尚英 ;

志贺豪士 ;

浅井文辉 .

中国专利 :CN106206396A ,2016-12-07

[2]

半导体器件和生产半导体器件的方法 [P].

里卡多·杨多克 ;

安东尼·马修 ;

马诺耶·巴拉克瑞南 ;

亚当·布朗 .

中国专利 :CN114446915A ,2022-05-06

[3]

半导体器件生产系统和半导体器件生产方法 [P].

小川澄男 ;

植木稔 ;

原真一 .

中国专利 :CN1797706A ,2006-07-05

[4]

半导体器件生产系统和半导体器件生产方法 [P].

小川澄男 ;

植木稔 ;

原真一 .

中国专利 :CN1320950A ,2001-11-07

[5]

半导体器件生产系统和半导体器件生产方法 [P].

小川澄男 ;

植木稔 ;

原真一 .

中国专利 :CN100377302C ,2006-07-05

[6]

半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件 [P].

河本裕介 ;

高本尚英 ;

志贺豪士 ;

浅井文辉 .

中国专利 :CN102376611A ,2012-03-14

[7]

半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P].

R·魏斯 ;

R·亨施 ;

A·马哈茂德 .

中国专利 :CN111293115A ,2020-06-16

[8]

半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

M·贝利尼 ;

L·克诺尔 ;

L·克兰兹 .

:CN120266593A ,2025-07-04

[9]

半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P].

A·福克尔 ;

H·韦伯 ;

T·F·W·霍克鲍尔 .

中国专利 :CN115706168A ,2023-02-17

[10]

半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P].

R·魏斯 ;

R·亨施 ;

A·马哈茂德 .

:CN111293115B ,2024-11-19

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