半导体器件和用于生产半导体器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911240162.1
申请日
2019-12-06
公开(公告)号
CN111293115B
公开(公告)日
2024-11-19
发明(设计)人
R·魏斯 R·亨施 A·马哈茂德
申请人
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址
奥地利菲拉赫
IPC主分类号
H01L27/092
IPC分类号
H01L27/098 H01L27/12 H01L21/8238 H01L21/8232
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
邬少俊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P]. 
R·魏斯 ;
R·亨施 ;
A·马哈茂德 .
中国专利 :CN111293115A ,2020-06-16
[2]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P]. 
A·福克尔 ;
H·韦伯 ;
T·F·W·霍克鲍尔 .
中国专利 :CN115706168A ,2023-02-17
[3]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
彭成毅 ;
李松柏 .
中国专利 :CN113345890B ,2025-06-03
[4]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
彼得·施陶斯 ;
菲利普·德雷克塞尔 ;
约阿希姆·赫特功 .
中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29
[5]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
彼得·施陶斯 ;
菲利普·德雷克塞尔 ;
约阿希姆·赫特功 .
中国专利 :CN103069583A ,2013-04-24
[6]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
彭成毅 ;
李松柏 .
中国专利 :CN113345890A ,2021-09-03
[7]
半导体器件和用于生产该半导体器件的方法 [P]. 
F.希尔勒 ;
A.毛德 ;
H-J.舒尔策 .
中国专利 :CN104103690A ,2014-10-15
[8]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
山田敦史 ;
温井健司 .
中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09
[9]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
李宜静 ;
柯志欣 ;
万幸仁 .
中国专利 :CN111261522A ,2020-06-09
[10]
半导体器件和制备半导体器件的方法 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN109860022B ,2019-06-07