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半导体器件和用于生产半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911240162.1
申请日
:
2019-12-06
公开(公告)号
:
CN111293115B
公开(公告)日
:
2024-11-19
发明(设计)人
:
R·魏斯
R·亨施
A·马哈茂德
申请人
:
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址
:
奥地利菲拉赫
IPC主分类号
:
H01L27/092
IPC分类号
:
H01L27/098
H01L27/12
H01L21/8238
H01L21/8232
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
:
邬少俊
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-19
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法
[P].
R·魏斯
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R·魏斯
;
R·亨施
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R·亨施
;
A·马哈茂德
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A·马哈茂德
.
中国专利
:CN111293115A
,2020-06-16
[2]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法
[P].
A·福克尔
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A·福克尔
;
H·韦伯
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H·韦伯
;
T·F·W·霍克鲍尔
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T·F·W·霍克鲍尔
.
中国专利
:CN115706168A
,2023-02-17
[3]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
彭成毅
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
彭成毅
;
李松柏
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
李松柏
.
中国专利
:CN113345890B
,2025-06-03
[4]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
彼得·施陶斯
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彼得·施陶斯
;
菲利普·德雷克塞尔
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菲利普·德雷克塞尔
;
约阿希姆·赫特功
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约阿希姆·赫特功
.
中国专利
:CN107104175B
,2017-08-29
[5]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
彼得·施陶斯
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彼得·施陶斯
;
菲利普·德雷克塞尔
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菲利普·德雷克塞尔
;
约阿希姆·赫特功
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约阿希姆·赫特功
.
中国专利
:CN103069583A
,2013-04-24
[6]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
彭成毅
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彭成毅
;
李松柏
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李松柏
.
中国专利
:CN113345890A
,2021-09-03
[7]
半导体器件和用于生产该半导体器件的方法
[P].
F.希尔勒
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F.希尔勒
;
A.毛德
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A.毛德
;
H-J.舒尔策
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H-J.舒尔策
.
中国专利
:CN104103690A
,2014-10-15
[8]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
山田敦史
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山田敦史
;
温井健司
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温井健司
.
中国专利
:CN103715084A
,2014-04-09
[9]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
李宜静
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李宜静
;
柯志欣
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柯志欣
;
万幸仁
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万幸仁
.
中国专利
:CN111261522A
,2020-06-09
[10]
半导体器件和制备半导体器件的方法
[P].
皇甫幼睿
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皇甫幼睿
.
中国专利
:CN109860022B
,2019-06-07
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