半导体器件和用于制造半导体器件的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011431818.0
申请日
2020-12-07
公开(公告)号
CN113345890A
公开(公告)日
2021-09-03
发明(设计)人
彭成毅 李松柏
申请人
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
H01L27088
IPC分类号
H01L27092 H01L218234 H01L218238
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;李伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
彭成毅 ;
李松柏 .
中国专利 :CN113345890B ,2025-06-03
[2]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
彼得·施陶斯 ;
菲利普·德雷克塞尔 ;
约阿希姆·赫特功 .
中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29
[3]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
彼得·施陶斯 ;
菲利普·德雷克塞尔 ;
约阿希姆·赫特功 .
中国专利 :CN103069583A ,2013-04-24
[4]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
山田敦史 ;
温井健司 .
中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09
[5]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
李宜静 ;
柯志欣 ;
万幸仁 .
中国专利 :CN111261522A ,2020-06-09
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
陈建颖 ;
张哲诚 ;
林志翰 .
中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28
[7]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN102856246B ,2013-01-02
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
A·埃尔哈米·霍拉萨尼 ;
M·格里斯沃尔德 .
美国专利 :CN117594641A ,2024-02-23
[9]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
陈建颖 ;
张哲诚 ;
林志翰 .
中国专利 :CN112447713A ,2021-03-05
[10]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;
余典卫 ;
蔡家铭 .
中国专利 :CN113314530A ,2021-08-27