半导体器件生产系统和半导体器件生产方法

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专利类型
发明
申请号
CN01110116.4
申请日
2001-03-27
公开(公告)号
CN1320950A
公开(公告)日
2001-11-07
发明(设计)人
小川澄男 植木稔 原真一
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏;方挺
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件生产系统和半导体器件生产方法 [P]. 
小川澄男 ;
植木稔 ;
原真一 .
中国专利 :CN1797706A ,2006-07-05
[2]
半导体器件生产系统和半导体器件生产方法 [P]. 
小川澄男 ;
植木稔 ;
原真一 .
中国专利 :CN100377302C ,2006-07-05
[3]
半导体器件和生产半导体器件的方法 [P]. 
里卡多·杨多克 ;
安东尼·马修 ;
马诺耶·巴拉克瑞南 ;
亚当·布朗 .
中国专利 :CN114446915A ,2022-05-06
[4]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P]. 
R·魏斯 ;
R·亨施 ;
A·马哈茂德 .
中国专利 :CN111293115A ,2020-06-16
[5]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P]. 
S·沃思 ;
M·贝利尼 ;
L·克诺尔 ;
L·克兰兹 .
:CN120266593A ,2025-07-04
[6]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P]. 
A·福克尔 ;
H·韦伯 ;
T·F·W·霍克鲍尔 .
中国专利 :CN115706168A ,2023-02-17
[7]
半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P]. 
R·魏斯 ;
R·亨施 ;
A·马哈茂德 .
:CN111293115B ,2024-11-19
[8]
半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法 [P]. 
高本尚英 ;
志贺豪士 ;
浅井文辉 .
中国专利 :CN102347264A ,2012-02-08
[9]
半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法 [P]. 
高本尚英 ;
志贺豪士 ;
浅井文辉 .
中国专利 :CN106206396A ,2016-12-07
[10]
半导体器件和半导体器件系统 [P]. 
长尾圭 .
日本专利 :CN114930268B ,2024-05-17