半导体装置及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811486774.4

申请日：

2018-12-06

公开(公告)号：

CN110010680B

公开(公告)日：

2019-07-12

发明(设计)人：

韦维克陈柏安

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;任默闻

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-10	授权	授权
2019-07-12	公开	公开
2019-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20181206

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体装置 [P].

金书正 ;

高铭远 ;

张钧凯 ;

牛振仪 ;

彭馨莹 ;

林其锋 ;

苏鸿文 .

中国专利 :CN218333793U ,2023-01-17

[2]

半导体装置及半导体结构 [P].

郭富强 ;

陈美秀 ;

侯俊廷 .

中国专利 :CN220914227U ,2024-05-07

[3]

半导体结构及半导体装置 [P].

许耀光 ;

朱贤士 ;

周运帆 ;

王超雄 .

中国专利 :CN114497045A ,2022-05-13

[4]

半导体结构及半导体装置 [P].

邹振东 ;

李家豪 .

中国专利 :CN118899332A ,2024-11-05

[5]

半导体结构及半导体装置 [P].

熊德智 ;

吴俊德 ;

王谊珍 ;

张亦谆 ;

涂元添 .

中国专利 :CN217822792U ,2022-11-15

[6]

半导体装置及半导体结构 [P].

林嘉男 ;

林彥呈 ;

林建宏 .

中国专利 :CN222261054U ,2024-12-27

[7]

半导体结构、半导体装置及半导体结构的制备方法 [P].

方羊 ;

卢志远 ;

樊园 ;

周浩磊 ;

全昌镐 .

中国专利 :CN120933271A ,2025-11-11

[8]

半导体结构及形成半导体结构的方法 [P].

姚福伟 ;

许竣为 ;

游承儒 ;

余俊磊 ;

杨富智 ;

熊志文 .

中国专利 :CN103050511A ,2013-04-17

[9]

半导体装置以及半导体结构 [P].

杨竣杰 ;

辛裕明 ;

钟易男 ;

赖育辰 .

中国专利 :CN113972204A ,2022-01-25

[10]

半导体装置及其半导体结构 [P].

陈柏安 ;

李依珊 .

中国专利 :CN119486199A ,2025-02-18

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