量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010591366.6

申请日：

2020-06-24

公开(公告)号：

CN113831909A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

张旋宇刘文勇

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1188 C09K1156 C08L3310 C08K330 C08J518 H01L5150 H01L5156 B82Y2000 B82Y3000

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

黄志云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	公开	公开
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/02 申请日:20200624

共 50 条

[1]

量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 [P].

张旋宇 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113831909B ,2024-09-27

[2]

量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法 [P].

张旋宇 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113831908B ,2025-01-07

[3]

量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法 [P].

张旋宇 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113831908A ,2021-12-24

[4]

量子点薄膜，量子点发光二极管及其制备方法 [P].

聂志文 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113025308A ,2021-06-25

[5]

量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 [P].

周礼宽 ;

邹文鑫 .

中国专利 :CN113972342B ,2024-04-30

[6]

量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 [P].

周礼宽 ;

邹文鑫 .

中国专利 :CN113972342A ,2022-01-25

[7]

量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 [P].

周礼宽 ;

孙培川 .

中国专利 :CN113943410B ,2024-02-06

[8]

量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 [P].

周礼宽 ;

孙培川 .

中国专利 :CN113943410A ,2022-01-18

[9]

量子点发光二极管及其制备方法 [P].

吴龙佳 ;

张天朔 ;

李俊杰 ;

郭煜林 ;

童凯 .

中国专利 :CN114695743A ,2022-07-01

[10]

量子点发光二极管及其制备方法 [P].

雷卉 ;

刘文勇 ;

杨一行 .

中国专利 :CN113130837B ,2021-07-16

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