量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010709907.0
申请日
2020-07-22
公开(公告)号
CN113972342A
公开(公告)日
2022-01-25
发明(设计)人
周礼宽 邹文鑫
申请人
申请人地址
516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
IPC主分类号
H01L5156
IPC分类号
H01L5150 H01L5154
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
方良
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
周礼宽 ;
邹文鑫 .
中国专利 :CN113972342B ,2024-04-30
[2]
量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
张旋宇 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN113831909B ,2024-09-27
[3]
量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
张旋宇 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN113831909A ,2021-12-24
[4]
量子点薄膜,量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
聂志文 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN113025308A ,2021-06-25
[5]
量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
周礼宽 ;
邹文鑫 .
中国专利 :CN113972345A ,2022-01-25
[6]
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 [P]. 
周礼宽 ;
孙培川 .
中国专利 :CN113943410B ,2024-02-06
[7]
量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 [P]. 
周礼宽 ;
孙培川 .
中国专利 :CN113943410A ,2022-01-18
[8]
量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
王劲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN113036043B ,2021-06-25
[9]
量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
周礼宽 ;
邹文鑫 ;
杨一行 .
中国专利 :CN114695729A ,2022-07-01
[10]
量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
黄盼宁 ;
卢子哲 .
中国专利 :CN113130824A ,2021-07-16