量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010693073.9

申请日：

2020-07-17

公开(公告)号：

CN113943410A

公开(公告)日：

2022-01-18

发明(设计)人：

周礼宽孙培川

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

C08F29200

IPC分类号：

C08F22214 C08F248 C08J518 C08J700 C09K1102 C09K1106 C09K1188 H01L5150 B82Y2000 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

方良

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管 [P].

周礼宽 ;

孙培川 .

中国专利 :CN113943410B ,2024-02-06

[2]

量子点薄膜、量子点发光二极管 [P].

聂志文 ;

张旋宇 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113130785A ,2021-07-16

[3]

量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 [P].

张旋宇 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113831909B ,2024-09-27

[4]

量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 [P].

张旋宇 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113831909A ,2021-12-24

[5]

量子点及其制备方法、量子点发光二极管 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN114656967A ,2022-06-24

[6]

量子点及其制备方法、量子点发光二极管 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN114656967B ,2024-06-11

[7]

量子点薄膜，量子点发光二极管及其制备方法 [P].

聂志文 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN113025308A ,2021-06-25

[8]

量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 [P].

周礼宽 ;

邹文鑫 .

中国专利 :CN113972342B ,2024-04-30

[9]

量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 [P].

周礼宽 ;

邹文鑫 .

中国专利 :CN113972342A ,2022-01-25

[10]

量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法 [P].

叶炜浩 .

中国专利 :CN111129355A ,2020-05-08

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-18	公开	公开
2022-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08F 292/00 申请日:20200717