半导体激光器装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910203147.X

申请日：

2009-06-02

公开(公告)号：

CN101599617B

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

高山彻早川功一佐藤智也佐佐木正隼木户口勋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S5028 H01S522 H01S524 H01S510 H01S540

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/343 登记生效日:20200604 变更事项:专利权人变更前权利人:松下电器产业株式会社变更后权利人:松下半导体解决方案株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本京都府
2011-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101074888204 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:200910203147X 申请日:20090602
2009-12-09	公开	公开
2012-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光器装置 [P].

高山彻 ;

永井洋希 ;

佐藤仁 ;

佐藤智也 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN101582564A ,2009-11-18

[2]

半导体激光器装置 [P].

小矶武 ;

藤本毅 .

中国专利 :CN1204665C ,2003-01-29

[3]

半导体激光器 [P].

福田和久 ;

笹冈千秋 ;

多田健太郎 ;

五十岚俊昭 ;

宫坂文人 ;

小松启郎 .

中国专利 :CN101645578A ,2010-02-10

[4]

半导体激光器 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101160700A ,2008-04-09

[5]

半导体激光器 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN112640233B ,2021-04-09

[6]

半导体激光器和半导体激光器装置 [P].

弗兰克·辛格 ;

诺温·文马尔姆 ;

蒂尔曼·鲁戈海默 ;

托马斯·基佩斯 .

中国专利 :CN108141008A ,2018-06-08

[7]

半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

平聪 ;

渊田步 ;

铃木凉子 ;

宫越亮辅 .

日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27

[8]

双波长半导体激光器装置 [P].

早川功二 ;

高山彻 ;

粂雅博 ;

佐藤智也 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN101533991A ,2009-09-16

[9]

边沿发光半导体激光器及半导体激光器模件 [P].

千田浩明 .

中国专利 :CN1233076C ,2003-04-16

[10]

半导体激光器模块、半导体激光器光源和半导体激光器系统 [P].

前田纯也 ;

远藤和幸 ;

大宫丈典 ;

森田刚德 ;

吉田治正 ;

宫岛博文 .

中国专利 :CN104914518A ,2015-09-16

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