双波长半导体激光器装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910127499.1

申请日：

2009-03-13

公开(公告)号：

CN101533991A

公开(公告)日：

2009-09-16

发明(设计)人：

早川功二高山彻粂雅博佐藤智也木户口勋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S540

IPC分类号：

H01S530 H01S5343 H01S522

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-16	公开	公开
2011-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101222709203 IPC(主分类):H01S 5/40 专利申请号:2009101274991 公开日:20090916

共 50 条

[1]

双波长半导体激光器 [P].

潘锡光 .

中国专利 :CN201332218Y ,2009-10-21

[2]

双波长半导体激光器装置及其制造方法 [P].

牧田幸治 ;

鹿岛孝之 .

中国专利 :CN101505036A ,2009-08-12

[3]

半导体激光器装置 [P].

高山彻 ;

早川功一 ;

佐藤智也 ;

佐佐木正隼 ;

木户口勋 .

中国专利 :CN101599617B ,2009-12-09

[4]

波长锁定半导体激光器 [P].

卓壮 .

中国专利 :CN205666431U ,2016-10-26

[5]

多波长半导体激光器装置 [P].

大仓裕二 .

中国专利 :CN101924323B ,2010-12-22

[6]

波长锁定半导体激光器 [P].

卓壮 .

中国专利 :CN105790067A ,2016-07-20

[7]

半导体激光器波长筛选装置 [P].

王立军 ;

刘云 ;

刘长军 ;

秦丽 ;

宁永强 .

中国专利 :CN101515701B ,2009-08-26

[8]

多波长半导体激光器件 [P].

高桥义彦 ;

及川文武 .

中国专利 :CN102738704A ,2012-10-17

[9]

半导体激光器装置 [P].

小矶武 ;

藤本毅 .

中国专利 :CN1204665C ,2003-01-29

[10]

半导体激光器 [P].

伊藤启司 ;

木户口勋 ;

高山彻 ;

今藤修 .

中国专利 :CN1574526A ,2005-02-02

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