双波长半导体激光器装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910001675.7
申请日
2009-01-09
公开(公告)号
CN101505036A
公开(公告)日
2009-08-12
发明(设计)人
牧田幸治 鹿岛孝之
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01S540
IPC分类号
H01S5343
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
汪惠民
法律状态
专利权的终止
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
双波长半导体激光器装置 [P]. 
早川功二 ;
高山彻 ;
粂雅博 ;
佐藤智也 ;
木户口勋 .
中国专利 :CN101533991A ,2009-09-16
[2]
双波长半导体激光器 [P]. 
潘锡光 .
中国专利 :CN201332218Y ,2009-10-21
[3]
多波长半导体激光器及其制造方法 [P]. 
荒木田孝博 .
中国专利 :CN1540821A ,2004-10-27
[4]
半导体激光器装置及其制造方法 [P]. 
鹿岛孝之 ;
牧田幸治 ;
吉川兼司 .
中国专利 :CN101394066A ,2009-03-25
[5]
半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P]. 
前原宏昭 ;
平聪 ;
渊田步 ;
铃木凉子 ;
宫越亮辅 .
日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27
[6]
单片2波长半导体激光器及其制造方法 [P]. 
松木义幸 ;
万浓正也 ;
福久敏哉 ;
鹈饲勉 .
中国专利 :CN1933265A ,2007-03-21
[7]
半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P]. 
中村直干 ;
河原弘幸 ;
松本启资 ;
铃木凉子 ;
平聪 .
日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28
[8]
半导体激光器、半导体激光器制冷结构及其制造方法 [P]. 
潘华东 ;
靳嫣然 ;
周立 ;
王俊 ;
闵大勇 ;
廖新胜 .
中国专利 :CN111082310A ,2020-04-28
[9]
两-波长半导体激光器件及其制造方法 [P]. 
高宗万 .
中国专利 :CN1677774A ,2005-10-05
[10]
半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法 [P]. 
外间洋平 ;
铃木洋介 .
中国专利 :CN112714986A ,2021-04-27