一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110662034.7

申请日：

2021-06-15

公开(公告)号：

CN113410382B

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

杨尚洁杨永峰张万垚李林折宇陈宝忠

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

马贵香

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20210615
2022-11-29	授权	授权
2021-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铬硅薄膜电阻结构及制备方法 [P].

折宇 ;

陈宝忠 ;

刘存生 ;

史泽堃 ;

尤路 ;

赵沫沫 ;

王成熙 ;

姚晓军 .

中国专利 :CN120547883A ,2025-08-26

[2]

一种多晶硅薄膜及其制备方法 [P].

李彦庆 ;

孙守红 ;

余毅 ;

郭同健 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117711917B ,2024-05-28

[3]

一种多晶硅薄膜及其制备方法 [P].

李彦庆 ;

孙守红 ;

余毅 ;

郭同健 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117711917A ,2024-03-15

[4]

一种低温多晶硅薄膜及其制备方法 [P].

李彦庆 ;

余毅 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117711918A ,2024-03-15

[5]

一种低温多晶硅薄膜及其制备方法 [P].

李彦庆 ;

余毅 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117711918B ,2024-04-09

[6]

一种氧化镍薄膜及其制备方法 [P].

王喜娜 ;

王英 ;

彭小牛 ;

袁慧 ;

凡新刚 ;

杨介林 ;

田栋文 .

中国专利 :CN120776269A ,2025-10-14

[7]

一种薄膜封装方法及其结构 [P].

赵长征 ;

刘金强 ;

敖伟 ;

周斯然 ;

罗志忠 .

中国专利 :CN106299153A ,2017-01-04

[8]

一种改性硅碳材料及其制备方法和应用 [P].

胡英杰 ;

黄子仪 ;

张雨 ;

王俊文 ;

王志勇 .

中国专利 :CN119725507A ,2025-03-28

[9]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

朱开贵 ;

陈芳芳 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN103346072A ,2013-10-09

[10]

薄膜电阻材料、薄膜电阻及其制备方法 [P].

付治屯 ;

刘德波 ;

彭勤卫 .

中国专利 :CN104711455A ,2015-06-17

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