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一种多晶硅薄膜及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410160892.5
申请日
:
2024-02-05
公开(公告)号
:
CN117711917B
公开(公告)日
:
2024-05-28
发明(设计)人
:
李彦庆
孙守红
余毅
郭同健
何锋赟
张海宇
申请人
:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址
:
130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
IPC主分类号
:
H01L21/02
IPC分类号
:
C23C16/24
C23C16/56
代理机构
:
长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218
代理人
:
孙艳辉
法律状态
:
授权
国省代码
:
北京市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-28
授权
授权
2024-04-02
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20240205
2024-03-15
公开
公开
共 50 条
[1]
一种多晶硅薄膜及其制备方法
[P].
李彦庆
论文数:
0
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0
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
李彦庆
;
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机构:
孙守红
;
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机构:
余毅
;
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机构:
郭同健
;
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机构:
何锋赟
;
张海宇
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
张海宇
.
中国专利
:CN117711917A
,2024-03-15
[2]
一种低温多晶硅薄膜及其制备方法
[P].
李彦庆
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
李彦庆
;
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机构:
余毅
;
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机构:
何锋赟
;
张海宇
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
张海宇
.
中国专利
:CN117711918A
,2024-03-15
[3]
一种低温多晶硅薄膜及其制备方法
[P].
李彦庆
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
李彦庆
;
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机构:
余毅
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机构:
何锋赟
;
张海宇
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
张海宇
.
中国专利
:CN117711918B
,2024-04-09
[4]
一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜
[P].
高超飞
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高超飞
;
葛晶涛
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葛晶涛
;
刘旭亮
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刘旭亮
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沈文涛
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沈文涛
;
张明照
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张明照
.
中国专利
:CN108878272A
,2018-11-23
[5]
一种多晶硅薄膜的制备方法
[P].
朱开贵
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朱开贵
;
陈芳芳
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陈芳芳
;
钟汇才
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钟汇才
.
中国专利
:CN103346072A
,2013-10-09
[6]
一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜
[P].
田雪雁
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田雪雁
;
龙春平
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龙春平
;
姚江峰
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姚江峰
.
中国专利
:CN102651311B
,2012-08-29
[7]
一种多晶硅薄膜制备方法
[P].
万青
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万青
;
曾梦麟
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曾梦麟
;
张雪平
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张雪平
;
佘鹏
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佘鹏
.
中国专利
:CN102071405B
,2011-05-25
[8]
多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法
[P].
刘政
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刘政
.
中国专利
:CN103972050A
,2014-08-06
[9]
低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管
[P].
葛泳
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葛泳
;
刘玉成
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刘玉成
;
朱涛
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朱涛
;
顾维杰
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顾维杰
.
中国专利
:CN104362084A
,2015-02-18
[10]
一种制备多晶硅的方法
[P].
黄金英
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黄金英
;
付国柱
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付国柱
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荆海
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荆海
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凌志华
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凌志华
.
中国专利
:CN1727525A
,2006-02-01
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