一种用于8英寸重掺As硅单晶热场结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201420109237.9
申请日
2014-03-12
公开(公告)号
CN203820915U
公开(公告)日
2014-09-10
发明(设计)人
张学强 黄永恩 范全东 路鹏
申请人
申请人地址
055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号
IPC主分类号
C30B1100
IPC分类号
C30B2906
代理机构
石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108
代理人
李羡民;周晓萍
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
直拉八英寸硅单晶热场 [P]. 
雷世俊 ;
吴雪霆 ;
谢江帆 ;
杨帆 ;
陈军 .
中国专利 :CN202323100U ,2012-07-11
[2]
一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统 [P]. 
陈澄 ;
王林 ;
朱鹏浩 ;
宋都明 ;
李亚哲 ;
刘一波 .
中国专利 :CN103103607B ,2013-05-15
[3]
用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场 [P]. 
田达晰 ;
马向阳 ;
林必清 ;
李晓军 ;
李立本 .
中国专利 :CN1556257A ,2004-12-22
[4]
用于八英寸重掺砷直拉硅单晶制造的上部热场 [P]. 
李立本 ;
田达晰 ;
马向阳 ;
刘培东 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN1556256A ,2004-12-22
[5]
一种适于18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置 [P]. 
王增荣 ;
李斌 ;
郝俊涛 ;
王飞 ;
黄少华 ;
赖汝萍 ;
黄鲁生 ;
钟贵琪 ;
林增标 ;
林海萍 ;
黄云增 ;
黄斌 ;
林德彰 ;
杨峰 ;
王县 .
中国专利 :CN201962414U ,2011-09-07
[6]
直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法 [P]. 
雷世俊 ;
吴雪霆 ;
谢江帆 ;
杨帆 ;
陈军 .
中国专利 :CN102367588A ,2012-03-07
[7]
一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置 [P]. 
王增荣 ;
李斌 ;
郝俊涛 ;
王飞 ;
黄少华 ;
赖汝萍 ;
黄鲁生 ;
钟贵琪 ;
林增标 ;
林海萍 ;
黄云增 ;
黄斌 ;
林德彰 ;
杨峰 ;
王县 .
中国专利 :CN201942784U ,2011-08-24
[8]
用于重掺硅单晶制造的热系统 [P]. 
李建弘 ;
康冬辉 ;
李烨 ;
董兆清 ;
徐强 ;
张焕新 ;
王林 ;
许海波 .
中国专利 :CN202039153U ,2011-11-16
[9]
用于直拉硅单晶炉热场系统 [P]. 
殷国庆 ;
吴道庆 .
中国专利 :CN201512601U ,2010-06-23
[10]
一种硅单晶生长的热场 [P]. 
李留臣 ;
冯金生 ;
井锦英 .
中国专利 :CN201395648Y ,2010-02-03