用于八英寸重掺砷直拉硅单晶制造的上部热场

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310117760.2

申请日：

2003-12-30

公开(公告)号：

CN1556256A

公开(公告)日：

2004-12-22

发明(设计)人：

李立本田达晰马向阳刘培东杨德仁

申请人：

申请人地址：

315800浙江省宁波市保税区0125－3地块

IPC主分类号：

C30B1514

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

张法高

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-12-22	公开	公开
2006-12-27	授权	授权
2005-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101288321130 IPC(主分类):C30B 15/14 专利号:ZL2003101177602 变更事项:专利权人变更前:宁波立立电子股份有限公司变更后:浙江金瑞泓科技股份有限公司变更事项:地址变更前:315800 浙江省宁波市保税区0125-3地块变更后:315800 浙江省宁波市保税区0125-3地块
2022-06-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 15/14 登记生效日:20220615 变更事项:专利权人变更前权利人:浙江金瑞泓科技股份有限公司变更后权利人:金瑞泓科技（衢州）有限公司变更事项:地址变更前权利人:315800 浙江省宁波市保税区0125-3地块变更后权利人:324000 浙江省衢州市绿色产业集聚区盘龙南路52号

共 50 条

[1]

用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场 [P].

田达晰 ;

马向阳 ;

林必清 ;

李晓军 ;

李立本 .

中国专利 :CN1556257A ,2004-12-22

[2]

直拉八英寸硅单晶热场 [P].

雷世俊 ;

吴雪霆 ;

谢江帆 ;

杨帆 ;

陈军 .

中国专利 :CN202323100U ,2012-07-11

[3]

直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法 [P].

雷世俊 ;

吴雪霆 ;

谢江帆 ;

杨帆 ;

陈军 .

中国专利 :CN102367588A ,2012-03-07

[4]

一种用于8英寸重掺As硅单晶热场结构 [P].

张学强 ;

黄永恩 ;

范全东 ;

路鹏 .

中国专利 :CN203820915U ,2014-09-10

[5]

一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统 [P].

陈澄 ;

王林 ;

朱鹏浩 ;

宋都明 ;

李亚哲 ;

刘一波 .

中国专利 :CN103103607B ,2013-05-15

[6]

18英寸热场生长Φ8〞太阳能级直拉硅单晶工艺 [P].

谢江帆 ;

吴雪霆 ;

徐杰 ;

张俊 ;

常宏伟 ;

陈军 ;

陈家红 ;

黄建平 .

中国专利 :CN101798704B ,2010-08-11

[7]

用于直拉硅单晶炉热场系统 [P].

殷国庆 ;

吴道庆 .

中国专利 :CN201512601U ,2010-06-23

[8]

一种Ф8英寸<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统 [P].

张雪囡 ;

高树良 ;

徐强 ;

李建弘 ;

许海波 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102002753A ,2011-04-06

[9]

一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置 [P].

王林 ;

高润飞 ;

宋都明 ;

陈建梅 ;

张寿星 ;

张颂越 ;

王淼 .

中国专利 :CN105369346A ,2016-03-02

[10]

一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置 [P].

王增荣 ;

李斌 ;

郝俊涛 ;

王飞 ;

黄少华 ;

赖汝萍 ;

黄鲁生 ;

钟贵琪 ;

林增标 ;

林海萍 ;

黄云增 ;

黄斌 ;

林德彰 ;

杨峰 ;

王县 .

中国专利 :CN201942784U ,2011-08-24

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