一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711483525.5

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN107993782A

公开(公告)日：

2018-05-04

发明(设计)人：

徐浩然李鸿高吴波宋泽润朱先胜

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区合欢路19号

IPC主分类号：

H01C700

IPC分类号：

H01C706 H01C17075 H01C1712

代理机构：

合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115

代理人：

金凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01C 7/00 申请日:20171229
2018-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻 [P].

徐浩然 ;

李鸿高 ;

吴波 ;

宋泽润 ;

朱先胜 .

中国专利 :CN207663866U ,2018-07-27

[2]

一种低电阻温度系数复合薄膜的制备方法 [P].

陈益钢 ;

张嘉慧 ;

陈逸飞 ;

张祺 .

中国专利 :CN120311154A ,2025-07-15

[3]

一种具有低电阻温度系数的薄膜电阻及其制备方法 [P].

邵瑾 ;

刘芳 ;

吴波 ;

张雷 ;

许凯 ;

邓永峰 .

中国专利 :CN119626691A ,2025-03-14

[4]

一种复合薄膜电阻 [P].

张可 ;

苏陟 ;

喻建国 ;

朱宇华 .

中国专利 :CN216817990U ,2022-06-24

[5]

低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法 [P].

杨邦朝 ;

杜晓松 ;

周鸿仁 ;

刘秀蓉 ;

徐蓓娜 .

中国专利 :CN1312397A ,2001-09-12

[6]

一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法 [P].

韩建强 ;

尹伊君 ;

程冰 ;

牛文举 .

中国专利 :CN106435478A ,2017-02-22

[7]

一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法 [P].

蒲健 ;

陈茂 ;

冯江涛 ;

池波 .

中国专利 :CN114807859B ,2024-07-02

[8]

一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法 [P].

蒲健 ;

陈茂 ;

冯江涛 ;

池波 .

中国专利 :CN114807859A ,2022-07-29

[9]

具有低电阻温度系数的电阻器 [P].

洪梓豪 ;

罗盈达 .

中国专利 :CN111354523B ,2020-06-30

[10]

具有低电阻温度系数的电阻器 [P].

黄日扬 .

中国专利 :CN120072435A ,2025-05-30

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