低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01107160.5

申请日：

2001-02-22

公开(公告)号：

CN1312397A

公开(公告)日：

2001-09-12

发明(设计)人：

杨邦朝杜晓松周鸿仁刘秀蓉徐蓓娜

申请人：

申请人地址：

610054四川省成都市建设北路二段四号

IPC主分类号：

C23C1414

IPC分类号：

C23C1435

代理机构：

四川省专利服务中心

代理人：

冯忠亮

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-08-15	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2001-09-12	公开	公开
2004-07-21	授权	授权
2008-04-23	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

一种低电阻温度系数复合薄膜的制备方法 [P].

陈益钢 ;

张嘉慧 ;

陈逸飞 ;

张祺 .

中国专利 :CN120311154A ,2025-07-15

[2]

一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻及其制备方法 [P].

徐浩然 ;

李鸿高 ;

吴波 ;

宋泽润 ;

朱先胜 .

中国专利 :CN107993782A ,2018-05-04

[3]

一种具有低电阻温度系数的薄膜电阻及其制备方法 [P].

邵瑾 ;

刘芳 ;

吴波 ;

张雷 ;

许凯 ;

邓永峰 .

中国专利 :CN119626691A ,2025-03-14

[4]

一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻 [P].

徐浩然 ;

李鸿高 ;

吴波 ;

宋泽润 ;

朱先胜 .

中国专利 :CN207663866U ,2018-07-27

[5]

一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法 [P].

韩建强 ;

尹伊君 ;

程冰 ;

牛文举 .

中国专利 :CN106435478A ,2017-02-22

[6]

具有低电阻温度系数的电阻器 [P].

洪梓豪 ;

罗盈达 .

中国专利 :CN111354523B ,2020-06-30

[7]

具有低电阻温度系数的电阻器 [P].

黄日扬 .

中国专利 :CN120072435A ,2025-05-30

[8]

基于负电阻温度系数薄膜的温度传感器及制备方法 [P].

刘景全 ;

李艳杰 ;

尤敏敏 ;

林祖德 ;

冉永鹏 ;

马啸 ;

谢永浩 .

中国专利 :CN120927146A ,2025-11-11

[9]

电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法 [P].

高政宁 ;

宋维聪 .

中国专利 :CN113481484A ,2021-10-08

[10]

一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 [P].

张立春 ;

王国伟 ;

张宇 ;

徐应强 ;

倪海桥 ;

牛智川 .

中国专利 :CN104611670A ,2015-05-13

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