一种具有低电阻温度系数的薄膜电阻及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411532040.0

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN119626691A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

邵瑾刘芳吴波张雷许凯邓永峰

申请人：

北京智芯微电子科技有限公司浙江大学

申请人地址：

100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼

IPC主分类号：

H01C7/00

IPC分类号：

H01C7/02 H01C7/04 H01C17/065

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

忻明年

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01C 7/00申请日:20241030
2025-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻及其制备方法 [P].

徐浩然 ;

李鸿高 ;

吴波 ;

宋泽润 ;

朱先胜 .

中国专利 :CN107993782A ,2018-05-04

[2]

一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻 [P].

徐浩然 ;

李鸿高 ;

吴波 ;

宋泽润 ;

朱先胜 .

中国专利 :CN207663866U ,2018-07-27

[3]

一种低电阻温度系数复合薄膜的制备方法 [P].

陈益钢 ;

张嘉慧 ;

陈逸飞 ;

张祺 .

中国专利 :CN120311154A ,2025-07-15

[4]

一种具有近零电阻温度系数的NiCr CuNi双层薄膜电阻及其制备方法 [P].

宋忠孝 ;

赵保森 ;

朱晓东 ;

李雁淮 ;

钱旦 ;

王永静 .

中国专利 :CN114360824A ,2022-04-15

[5]

低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法 [P].

杨邦朝 ;

杜晓松 ;

周鸿仁 ;

刘秀蓉 ;

徐蓓娜 .

中国专利 :CN1312397A ,2001-09-12

[6]

具有低电阻温度系数的电阻器 [P].

洪梓豪 ;

罗盈达 .

中国专利 :CN111354523B ,2020-06-30

[7]

具有低电阻温度系数的电阻器 [P].

黄日扬 .

中国专利 :CN120072435A ,2025-05-30

[8]

一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法 [P].

韩建强 ;

尹伊君 ;

程冰 ;

牛文举 .

中国专利 :CN106435478A ,2017-02-22

[9]

一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料及制备方法 [P].

徐永兵 ;

王灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN119381104A ,2025-01-28

[10]

一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料及制备方法 [P].

徐永兵 ;

王灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN119381104B ,2025-11-14

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