电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110745661.7

申请日：

2021-07-01

公开(公告)号：

CN113481484A

公开(公告)日：

2021-10-08

发明(设计)人：

高政宁宋维聪

申请人：

申请人地址：

215413 江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层

IPC主分类号：

C23C1606

IPC分类号：

C23C16505 C23C16455 C23C1616 C23C1618

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

卢炳琼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	公开	公开
2022-03-08	授权	授权
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/06 申请日:20210701

共 50 条

[1]

低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法 [P].

杨邦朝 ;

杜晓松 ;

周鸿仁 ;

刘秀蓉 ;

徐蓓娜 .

中国专利 :CN1312397A ,2001-09-12

[2]

优化NiCr合金电阻温度系数的方法 [P].

叶志锋 ;

邓亚童 ;

李育峰 ;

宋泽润 .

中国专利 :CN120417751A ,2025-08-01

[3]

一种具有近零电阻温度系数的NiCr CuNi双层薄膜电阻及其制备方法 [P].

宋忠孝 ;

赵保森 ;

朱晓东 ;

李雁淮 ;

钱旦 ;

王永静 .

中国专利 :CN114360824A ,2022-04-15

[4]

一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻及其制备方法 [P].

徐浩然 ;

李鸿高 ;

吴波 ;

宋泽润 ;

朱先胜 .

中国专利 :CN107993782A ,2018-05-04

[5]

一种具有低电阻温度系数的薄膜电阻及其制备方法 [P].

邵瑾 ;

刘芳 ;

吴波 ;

张雷 ;

许凯 ;

邓永峰 .

中国专利 :CN119626691A ,2025-03-14

[6]

一种低电阻温度系数复合薄膜的制备方法 [P].

陈益钢 ;

张嘉慧 ;

陈逸飞 ;

张祺 .

中国专利 :CN120311154A ,2025-07-15

[7]

基于负电阻温度系数薄膜的温度传感器及制备方法 [P].

刘景全 ;

李艳杰 ;

尤敏敏 ;

林祖德 ;

冉永鹏 ;

马啸 ;

谢永浩 .

中国专利 :CN120927146A ,2025-11-11

[8]

一种高强高电阻低电阻温度系数的多组元软磁合金及其制备方法和应用 [P].

李志明 ;

徐勋林 ;

朱书亚 ;

葛蓬华 ;

严定舜 .

中国专利 :CN117026103B ,2024-10-29

[9]

一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻 [P].

徐浩然 ;

李鸿高 ;

吴波 ;

宋泽润 ;

朱先胜 .

中国专利 :CN207663866U ,2018-07-27

[10]

一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法 [P].

韩建强 ;

尹伊君 ;

程冰 ;

牛文举 .

中国专利 :CN106435478A ,2017-02-22

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