研磨头及研磨半导体晶片的背侧的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710209057.6

申请日：

2017-03-31

公开(公告)号：

CN108655946B

公开(公告)日：

2018-10-16

发明(设计)人：

杨青海高耀寰刘黄升

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

B24B3716

IPC分类号：

B24B3710 H01L2102

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

冯志云;王芝艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	公开	公开
2021-06-18	授权	授权
2018-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/16 申请日:20170331

共 50 条

[1]

研磨头、研磨装置和半导体晶片的制造方法 [P].

寺川良也 ;

太田广树 .

日本专利 :CN117413351A ,2024-01-16

[2]

半导体晶片的研磨方法及半导体晶片 [P].

桥本大辅 ;

又川敏 ;

桥井友裕 .

中国专利 :CN109643650A ,2019-04-16

[3]

半导体晶片的研磨方法及研磨装置 [P].

山下健儿 .

中国专利 :CN105474367A ,2016-04-06

[4]

半导体晶片的研磨装置 [P].

川原龙之介 ;

关直树 ;

久保武之 .

中国专利 :CN114905402A ,2022-08-16

[5]

半导体晶片的研磨方法 [P].

寺川良也 ;

青木健司 .

中国专利 :CN102574266A ,2012-07-11

[6]

研磨半导体晶片的方法 [P].

J·容格 ;

R·魏斯 .

中国专利 :CN101337336A ,2009-01-07

[7]

双侧化学研磨半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101954620A ,2011-01-26

[8]

半导体晶片研磨装置和半导体晶片研磨方法 [P].

久保亨 .

中国专利 :CN1978136B ,2007-06-13

[9]

半导体晶片的单片式单面研磨方法及半导体晶片的单片式单面研磨装置 [P].

川崎智宪 .

中国专利 :CN107431006A ,2017-12-01

[10]

半导体晶片的研磨方法及其研磨垫 [P].

白樫卫吾 ;

滨中雅司 ;

伊藤史隆 .

中国专利 :CN1503332A ,2004-06-09

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