双侧化学研磨半导体晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010144739.1

申请日：

2010-03-22

公开(公告)号：

CN101954620A

公开(公告)日：

2011-01-26

发明(设计)人：

J·施万德纳

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

B24B3704

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058490882 IPC(主分类):B24B 37/04 专利申请号:2010101447391 申请日:20100322
2011-01-26	公开	公开
2015-09-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101721319055 IPC(主分类):B24B 37/04 专利申请号:2010101447391 申请公布日:20110126

共 50 条

[1]

半导体晶片的研磨方法及半导体晶片 [P].

桥本大辅 ;

又川敏 ;

桥井友裕 .

中国专利 :CN109643650A ,2019-04-16

[2]

半导体晶片研磨装置和半导体晶片研磨方法 [P].

久保亨 .

中国专利 :CN1978136B ,2007-06-13

[3]

半导体晶片的研磨方法 [P].

寺川良也 ;

青木健司 .

中国专利 :CN102574266A ,2012-07-11

[4]

研磨半导体晶片的方法 [P].

J·容格 ;

R·魏斯 .

中国专利 :CN101337336A ,2009-01-07

[5]

研磨头及研磨半导体晶片的背侧的方法 [P].

杨青海 ;

高耀寰 ;

刘黄升 .

中国专利 :CN108655946B ,2018-10-16

[6]

同时研磨多个半导体晶片的方法 [P].

G·皮奇 ;

M·克斯坦 ;

H·a·d·施普林 .

中国专利 :CN101269476A ,2008-09-24

[7]

同时研磨多个半导体晶片的方法 [P].

G·皮奇 ;

M·克斯坦 ;

H·a·d·施普林 .

中国专利 :CN101829948A ,2010-09-15

[8]

同时研磨多个半导体晶片的方法 [P].

G·皮奇 ;

M·克斯坦 ;

H·a·d·施普林 .

中国专利 :CN101870085A ,2010-10-27

[9]

化学机械研磨方法和半导体晶片清洗方法 [P].

李健 ;

朱旋 ;

许宗能 ;

曾明 ;

杨兆宇 .

中国专利 :CN102593042A ,2012-07-18

[10]

用于研磨半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102029573A ,2011-04-27

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