屏蔽栅场效应晶体管

被引：0

申请号：

CN202211689128.4

申请日：

2022-12-28

公开(公告)号：

CN115663031A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

钱振华康子楠张艳旺张子敏吴飞钟军满

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢5层501

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423

代理机构：

深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542

代理人：

赵爱蓉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20221228

共 50 条

[1]

屏蔽栅场效应晶体管 [P].

钱振华 ;

康子楠 ;

陈霞 ;

张子敏 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN115588695A ,2023-01-10

[2]

场效应晶体管 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN209071275U ,2019-07-05

[3]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

曼弗雷德·豪夫 ;

马克思·Ｇ·莱维 ;

维克托·Ｒ·纳斯塔西 .

中国专利 :CN1090821C ,1998-03-04

[4]

结栅场效应晶体管 [P].

陈刚 ;

黄如 ;

张兴 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1599075A ,2005-03-23

[5]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构 [P].

郭亮良 .

中国专利 :CN215183977U ,2021-12-14

[6]

场效应晶体管 [P].

陈杰良 .

中国专利 :CN1767208A ,2006-05-03

[7]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

原田真 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN102171832A ,2011-08-31

[8]

浮栅闪存场效应晶体管 [P].

陈刚 ;

黄如 ;

张兴 ;

王阳元 .

中国专利 :CN100479193C ,2005-03-23

[9]

准双栅场效应晶体管 [P].

陈刚 ;

黄如 ;

张兴 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1599076A ,2005-03-23

[10]

钯栅场效应晶体管 [P].

徐永祥 .

中国专利 :CN2160157Y ,1994-03-30

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