钯栅场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN93212942.0

申请日：

1993-05-21

公开(公告)号：

CN2160157Y

公开(公告)日：

1994-03-30

发明(设计)人：

徐永祥

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路肖庄

IPC主分类号：

H01L29784

IPC分类号：

G01N2712

代理机构：

北京林业大学专利事务所

代理人：

卢纪

法律状态：

专利权的终止未缴年费专利权终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-07-19	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种钯栅场效应晶体管 [P].

徐永祥 .

中国专利 :CN2107066U ,1992-06-10

[2]

沟槽栅场效应晶体管 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN217444401U ,2022-09-16

[3]

碳化硅场效应晶体管 [P].

潘仁杰 ;

田柏冠 ;

郑轩志 .

中国专利 :CN222967304U ,2025-06-10

[4]

超结金属栅场效应晶体管 [P].

任留涛 .

中国专利 :CN206877996U ,2018-01-12

[5]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

曼弗雷德·豪夫 ;

马克思·Ｇ·莱维 ;

维克托·Ｒ·纳斯塔西 .

中国专利 :CN1090821C ,1998-03-04

[6]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

原田真 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN102171832A ,2011-08-31

[7]

屏蔽栅场效应晶体管 [P].

钱振华 ;

康子楠 ;

张艳旺 ;

张子敏 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN115663031A ,2023-01-31

[8]

新型绝缘栅场效应晶体管 [P].

王弘 ;

王民 ;

王卓 ;

尚淑霞 .

中国专利 :CN2264416Y ,1997-10-08

[9]

屏蔽栅场效应晶体管 [P].

钱振华 ;

康子楠 ;

陈霞 ;

张子敏 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN115588695A ,2023-01-10

[10]

结栅场效应晶体管 [P].

陈刚 ;

黄如 ;

张兴 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1599075A ,2005-03-23

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