超结金属栅场效应晶体管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201720464754.1
申请日
2017-04-28
公开(公告)号
CN206877996U
公开(公告)日
2018-01-12
发明(设计)人
任留涛
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室
IPC主分类号
H01L2706
IPC分类号
H01L2978 H01L2906 H01L29417
代理机构
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297
代理人
赵朋晓
法律状态
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
低功率超结金属栅场效应晶体管 [P]. 
李菲 ;
刘铁川 ;
李欣 .
中国专利 :CN206878004U ,2018-01-12
[2]
改良型低功率超结金属栅场效应晶体管 [P]. 
任留涛 .
中国专利 :CN206878000U ,2018-01-12
[3]
超结金属栅场效应晶体管封装结构 [P]. 
任留涛 .
中国专利 :CN206877981U ,2018-01-12
[4]
结栅场效应晶体管 [P]. 
陈刚 ;
黄如 ;
张兴 ;
王阳元 .
中国专利 :CN1599075A ,2005-03-23
[5]
钯栅场效应晶体管 [P]. 
徐永祥 .
中国专利 :CN2160157Y ,1994-03-30
[6]
沟槽栅场效应晶体管 [P]. 
许耀光 ;
刘安淇 ;
蔡建成 ;
郑俊义 .
中国专利 :CN217444401U ,2022-09-16
[7]
结型场效应晶体管 [P]. 
雷天飞 ;
毛焜 .
中国专利 :CN208985987U ,2019-06-14
[8]
结型场效应晶体管 [P]. 
李扬杰 ;
王维安 ;
杨宗凯 ;
陈信全 ;
尚正阳 .
中国专利 :CN222442148U ,2025-02-07
[9]
场效应晶体管的金属栅电极 [P]. 
侯承浩 ;
林秉顺 ;
李达元 ;
于雄飞 ;
周群渊 ;
徐帆毅 ;
陈建豪 ;
许光源 .
中国专利 :CN102903742A ,2013-01-30
[10]
电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P]. 
彭地森 .
中国专利 :CN119029050A ,2024-11-26