改良型低功率超结金属栅场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720465976.5

申请日：

2017-04-28

公开(公告)号：

CN206878000U

公开(公告)日：

2018-01-12

发明(设计)人：

任留涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978

代理机构：

上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297

代理人：

赵朋晓

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-12	授权	授权

共 50 条

[1]

低功率超结金属栅场效应晶体管 [P].

李菲 ;

刘铁川 ;

李欣 .

中国专利 :CN206878004U ,2018-01-12

[2]

超结金属栅场效应晶体管 [P].

任留涛 .

中国专利 :CN206877996U ,2018-01-12

[3]

超结金属栅场效应晶体管封装结构 [P].

任留涛 .

中国专利 :CN206877981U ,2018-01-12

[4]

结型场效应晶体管 [P].

李扬杰 ;

王维安 ;

杨宗凯 ;

陈信全 ;

尚正阳 .

中国专利 :CN222442148U ,2025-02-07

[5]

结栅场效应晶体管 [P].

陈刚 ;

黄如 ;

张兴 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1599075A ,2005-03-23

[6]

结型场效应晶体管 [P].

雷天飞 ;

毛焜 .

中国专利 :CN208985987U ,2019-06-14

[7]

功率绝缘栅型场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN102412305B ,2012-04-11

[8]

电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P].

彭地森 .

中国专利 :CN119029050A ,2024-11-26

[9]

钯栅场效应晶体管 [P].

徐永祥 .

中国专利 :CN2160157Y ,1994-03-30

[10]

电容耦合栅控结型场效应晶体管 [P].

彭地森 .

中国专利 :CN119029050B ,2025-03-07

← 1 2 3 4 5 →