低功率超结金属栅场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720465949.8

申请日：

2017-04-28

公开(公告)号：

CN206878004U

公开(公告)日：

2018-01-12

发明(设计)人：

李菲刘铁川李欣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27105 H01L29872

代理机构：

上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297

代理人：

赵朋晓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-12	授权	授权

共 50 条

[1]

改良型低功率超结金属栅场效应晶体管 [P].

任留涛 .

中国专利 :CN206878000U ,2018-01-12

[2]

超结金属栅场效应晶体管 [P].

任留涛 .

中国专利 :CN206877996U ,2018-01-12

[3]

超结金属栅场效应晶体管封装结构 [P].

任留涛 .

中国专利 :CN206877981U ,2018-01-12

[4]

结栅场效应晶体管 [P].

陈刚 ;

黄如 ;

张兴 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1599075A ,2005-03-23

[5]

钯栅场效应晶体管 [P].

徐永祥 .

中国专利 :CN2160157Y ,1994-03-30

[6]

功率场效应晶体管 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 ;

L·克兰兹 .

:CN221466582U ,2024-08-02

[7]

低栅电荷开关场效应晶体管 [P].

茅寅松 ;

吴岩 .

中国专利 :CN212010984U ,2020-11-24

[8]

功率绝缘栅型场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN102412305B ,2012-04-11

[9]

沟槽栅功率场效应晶体管 [P].

魏星 ;

徐大伟 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103745998A ,2014-04-23

[10]

沟槽栅场效应晶体管 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN217444401U ,2022-09-16

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