屏蔽栅场效应晶体管

被引：0

申请号：

CN202211576163.5

申请日：

2022-12-09

公开(公告)号：

CN115588695A

公开(公告)日：

2023-01-10

发明(设计)人：

钱振华康子楠陈霞张子敏吴飞钟军满

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢5层501

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542

代理人：

戴圆圆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20221209
2023-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

屏蔽栅场效应晶体管 [P].

钱振华 ;

康子楠 ;

张艳旺 ;

张子敏 ;

吴飞 ;

钟军满 .

中国专利 :CN115663031A ,2023-01-31

[2]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管结构 [P].

郭亮良 .

中国专利 :CN215183977U ,2021-12-14

[3]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

曼弗雷德·豪夫 ;

马克思·Ｇ·莱维 ;

维克托·Ｒ·纳斯塔西 .

中国专利 :CN1090821C ,1998-03-04

[4]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

原田真 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN102171832A ,2011-08-31

[5]

钯栅场效应晶体管 [P].

徐永祥 .

中国专利 :CN2160157Y ,1994-03-30

[6]

沟槽栅场效应晶体管 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN217444401U ,2022-09-16

[7]

结栅场效应晶体管 [P].

陈刚 ;

黄如 ;

张兴 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1599075A ,2005-03-23

[8]

屏蔽栅极场效应晶体管 [P].

P·A·布尔克 ;

D·E·普罗布斯特 ;

S·J·霍赛 .

中国专利 :CN208767305U ,2019-04-19

[9]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[10]

场效应晶体管 [P].

竹中功 ;

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24

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