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一种氮化镓晶体生产设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010925103.4
申请日
:
2020-09-06
公开(公告)号
:
CN112126981A
公开(公告)日
:
2020-12-25
发明(设计)人
:
高元琴
申请人
:
申请人地址
:
311200 浙江省杭州市萧山区北干街道荣星村高家潭
IPC主分类号
:
C30B2940
IPC分类号
:
C30B2500
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-25
公开
公开
2021-01-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20200906
2021-12-21
发明专利申请公布后的撤回
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 29/40 申请公布日:20201225
共 50 条
[1]
氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法
[P].
三川丰
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
三菱化学株式会社
三菱化学株式会社
三川丰
;
栗本浩平
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机构:
三菱化学株式会社
三菱化学株式会社
栗本浩平
;
包全喜
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0
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0
机构:
三菱化学株式会社
三菱化学株式会社
包全喜
.
日本专利
:CN117897521A
,2024-04-16
[2]
氮化镓晶体衬底
[P].
冈久拓司
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冈久拓司
;
元木健作
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元木健作
;
上松康二
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上松康二
;
中畑成二
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中畑成二
;
弘田龙
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弘田龙
;
井尻英幸
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井尻英幸
;
笠井仁
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笠井仁
;
藤田俊介
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藤田俊介
;
佐藤史隆
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佐藤史隆
;
松冈彻
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0
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松冈彻
.
中国专利
:CN101805928A
,2010-08-18
[3]
氮化镓晶体基板
[P].
善积祐介
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善积祐介
;
长田英树
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长田英树
;
美浓部周吾
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美浓部周吾
;
羽木良明
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羽木良明
.
中国专利
:CN111356794B
,2020-06-30
[4]
一种氮化镓晶体抛光装置
[P].
谢自力
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机构:
南京集芯光电技术研究院有限公司
南京集芯光电技术研究院有限公司
谢自力
.
中国专利
:CN222308442U
,2025-01-07
[5]
氮化镓晶体和晶片
[P].
马克·P·德维林
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马克·P·德维林
;
朴东实
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朴东实
;
史蒂文·F·勒布厄夫
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史蒂文·F·勒布厄夫
;
拉里·B·罗兰
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拉里·B·罗兰
;
克里斯蒂·J·纳兰
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克里斯蒂·J·纳兰
;
洪慧聪
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洪慧聪
;
斯蒂芬·D·阿瑟
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斯蒂芬·D·阿瑟
;
彼得·M·桑德维克
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彼得·M·桑德维克
.
中国专利
:CN101583744A
,2009-11-18
[6]
生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法
[P].
竹山知阳
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竹山知阳
.
中国专利
:CN102239283A
,2011-11-09
[7]
一种氮化镓晶体的抛光装置
[P].
张生
论文数:
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机构:
日月新半导体(昆山)有限公司
日月新半导体(昆山)有限公司
张生
.
中国专利
:CN223084442U
,2025-07-11
[8]
一种氮化镓晶体的制备方法
[P].
李东键
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李东键
;
叶宏伦
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叶宏伦
;
钟健
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钟健
;
钟其龙
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钟其龙
;
刘崇志
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刘崇志
;
张本义
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张本义
.
中国专利
:CN111893566A
,2020-11-06
[9]
反应容器组件及氮化镓晶体生产系统
[P].
乔焜
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乔焜
;
高明哲
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高明哲
;
林岳明
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林岳明
.
中国专利
:CN210048880U
,2020-02-11
[10]
氮化镓晶体的制备方法
[P].
油利正昭
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油利正昭
;
上田哲三
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上田哲三
;
马场孝明
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马场孝明
.
中国专利
:CN1180135C
,1998-12-09
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