一种氮化镓晶体生产设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010925103.4
申请日
2020-09-06
公开(公告)号
CN112126981A
公开(公告)日
2020-12-25
发明(设计)人
高元琴
申请人
申请人地址
311200 浙江省杭州市萧山区北干街道荣星村高家潭
IPC主分类号
C30B2940
IPC分类号
C30B2500
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P]. 
三川丰 ;
栗本浩平 ;
包全喜 .
日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16
[2]
氮化镓晶体衬底 [P]. 
冈久拓司 ;
元木健作 ;
上松康二 ;
中畑成二 ;
弘田龙 ;
井尻英幸 ;
笠井仁 ;
藤田俊介 ;
佐藤史隆 ;
松冈彻 .
中国专利 :CN101805928A ,2010-08-18
[3]
氮化镓晶体基板 [P]. 
善积祐介 ;
长田英树 ;
美浓部周吾 ;
羽木良明 .
中国专利 :CN111356794B ,2020-06-30
[4]
一种氮化镓晶体抛光装置 [P]. 
谢自力 .
中国专利 :CN222308442U ,2025-01-07
[5]
氮化镓晶体和晶片 [P]. 
马克·P·德维林 ;
朴东实 ;
史蒂文·F·勒布厄夫 ;
拉里·B·罗兰 ;
克里斯蒂·J·纳兰 ;
洪慧聪 ;
斯蒂芬·D·阿瑟 ;
彼得·M·桑德维克 .
中国专利 :CN101583744A ,2009-11-18
[6]
生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法 [P]. 
竹山知阳 .
中国专利 :CN102239283A ,2011-11-09
[7]
一种氮化镓晶体的抛光装置 [P]. 
张生 .
中国专利 :CN223084442U ,2025-07-11
[8]
一种氮化镓晶体的制备方法 [P]. 
李东键 ;
叶宏伦 ;
钟健 ;
钟其龙 ;
刘崇志 ;
张本义 .
中国专利 :CN111893566A ,2020-11-06
[9]
反应容器组件及氮化镓晶体生产系统 [P]. 
乔焜 ;
高明哲 ;
林岳明 .
中国专利 :CN210048880U ,2020-02-11
[10]
氮化镓晶体的制备方法 [P]. 
油利正昭 ;
上田哲三 ;
马场孝明 .
中国专利 :CN1180135C ,1998-12-09