反应容器组件及氮化镓晶体生产系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920774994.0

申请日：

2019-05-27

公开(公告)号：

CN210048880U

公开(公告)日：

2020-02-11

发明(设计)人：

乔焜高明哲林岳明

申请人：

申请人地址：

201613 上海市松江区文翔东路58号9幢1楼

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B710

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓晶体生产系统及其填充氨的方法 [P].

乔焜 ;

高明哲 ;

林岳明 .

中国专利 :CN110042459A ,2019-07-23

[2]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

[3]

一种密封结构、氮化镓生产反应炉及卧式氮化镓生产系统 [P].

乔焜 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119412625A ,2025-02-11

[4]

一种密封结构、氮化镓生产反应炉及卧式氮化镓生产系统 [P].

乔焜 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119412625B ,2025-04-15

[5]

氮化镓晶体衬底 [P].

冈久拓司 ;

元木健作 ;

上松康二 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

井尻英幸 ;

笠井仁 ;

藤田俊介 ;

佐藤史隆 ;

松冈彻 .

中国专利 :CN101805928A ,2010-08-18

[6]

氮化镓晶体基板 [P].

善积祐介 ;

长田英树 ;

美浓部周吾 ;

羽木良明 .

中国专利 :CN111356794B ,2020-06-30

[7]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[8]

用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置 [P].

林岳明 ;

高明哲 .

中国专利 :CN209205968U ,2019-08-06

[9]

反应釜、生长氮化镓晶体的装置及方法 [P].

高明哲 .

中国专利 :CN112048771A ,2020-12-08

[10]

一种氮化镓晶体生产设备 [P].

高元琴 .

中国专利 :CN112126981A ,2020-12-25

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