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半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011591853.9
申请日
:
2020-12-29
公开(公告)号
:
CN112701037A
公开(公告)日
:
2021-04-23
发明(设计)人
:
陈意桥
钱磊
周千学
申请人
:
申请人地址
:
215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
IPC主分类号
:
H01L21306
IPC分类号
:
C09G102
代理机构
:
北京中济纬天专利代理有限公司 11429
代理人
:
苏芳玉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-11
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20201229
2021-04-23
公开
公开
共 50 条
[1]
一种锑化镓精抛光液及精抛光方法
[P].
石志奎
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
青岛浩瀚全材半导体有限公司
青岛浩瀚全材半导体有限公司
石志奎
;
王世峰
论文数:
0
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0
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0
机构:
青岛浩瀚全材半导体有限公司
青岛浩瀚全材半导体有限公司
王世峰
;
张栓平
论文数:
0
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0
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机构:
青岛浩瀚全材半导体有限公司
青岛浩瀚全材半导体有限公司
张栓平
;
王泽华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
青岛浩瀚全材半导体有限公司
青岛浩瀚全材半导体有限公司
王泽华
.
中国专利
:CN118126633A
,2024-06-04
[2]
用于抛光半导体封盖层的抛光液
[P].
姚颖
论文数:
0
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姚颖
;
宋伟红
论文数:
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宋伟红
;
陈国栋
论文数:
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0
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陈国栋
;
宋成兵
论文数:
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0
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宋成兵
.
中国专利
:CN101358107A
,2009-02-04
[3]
抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法
[P].
李晖
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李晖
;
徐永宽
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徐永宽
;
程红娟
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程红娟
.
中国专利
:CN102952467A
,2013-03-06
[4]
抛光液和抛光方法
[P].
斋江俊之
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斋江俊之
.
中国专利
:CN101397480A
,2009-04-01
[5]
半导体锑化铟化学机械抛光液
[P].
刘玉岭
论文数:
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刘玉岭
;
刘承霖
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刘承霖
.
中国专利
:CN1858136A
,2006-11-08
[6]
一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓晶片进行抛光的方法
[P].
程雨
论文数:
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程雨
;
肖钰
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0
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肖钰
;
李春领
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0
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0
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李春领
.
中国专利
:CN106590439B
,2017-04-26
[7]
用于砷化镓抛光的磁流变抛光液及其制备方法
[P].
曹建国
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曹建国
;
李建勇
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李建勇
;
朱朋哲
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朱朋哲
;
聂蒙
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聂蒙
;
徐金环
论文数:
0
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0
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0
徐金环
.
中国专利
:CN107523220A
,2017-12-29
[8]
适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法
[P].
黄传锦
论文数:
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0
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黄传锦
;
周海
论文数:
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周海
;
顾斌
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顾斌
;
刘道标
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刘道标
;
惠学芹
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惠学芹
;
吴进
论文数:
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0
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吴进
.
中国专利
:CN105038606A
,2015-11-11
[9]
抛光液及使用该抛光液的抛光方法
[P].
上村哲也
论文数:
0
引用数:
0
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0
上村哲也
.
中国专利
:CN101397482A
,2009-04-01
[10]
抛光液及使用该抛光液的抛光方法
[P].
上村哲也
论文数:
0
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0
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0
上村哲也
.
中国专利
:CN101333417A
,2008-12-31
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