半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011591853.9
申请日
2020-12-29
公开(公告)号
CN112701037A
公开(公告)日
2021-04-23
发明(设计)人
陈意桥 钱磊 周千学
申请人
申请人地址
215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
IPC主分类号
H01L21306
IPC分类号
C09G102
代理机构
北京中济纬天专利代理有限公司 11429
代理人
苏芳玉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种锑化镓精抛光液及精抛光方法 [P]. 
石志奎 ;
王世峰 ;
张栓平 ;
王泽华 .
中国专利 :CN118126633A ,2024-06-04
[2]
用于抛光半导体封盖层的抛光液 [P]. 
姚颖 ;
宋伟红 ;
陈国栋 ;
宋成兵 .
中国专利 :CN101358107A ,2009-02-04
[3]
抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法 [P]. 
李晖 ;
徐永宽 ;
程红娟 .
中国专利 :CN102952467A ,2013-03-06
[4]
抛光液和抛光方法 [P]. 
斋江俊之 .
中国专利 :CN101397480A ,2009-04-01
[5]
半导体锑化铟化学机械抛光液 [P]. 
刘玉岭 ;
刘承霖 .
中国专利 :CN1858136A ,2006-11-08
[6]
一种抛光液及应用该抛光液对锑化镓晶片进行抛光的方法 [P]. 
程雨 ;
肖钰 ;
李春领 .
中国专利 :CN106590439B ,2017-04-26
[7]
用于砷化镓抛光的磁流变抛光液及其制备方法 [P]. 
曹建国 ;
李建勇 ;
朱朋哲 ;
聂蒙 ;
徐金环 .
中国专利 :CN107523220A ,2017-12-29
[8]
适合氧化镓衬底基片抛光的专用抛光液及其制备方法 [P]. 
黄传锦 ;
周海 ;
顾斌 ;
刘道标 ;
惠学芹 ;
吴进 .
中国专利 :CN105038606A ,2015-11-11
[9]
抛光液及使用该抛光液的抛光方法 [P]. 
上村哲也 .
中国专利 :CN101397482A ,2009-04-01
[10]
抛光液及使用该抛光液的抛光方法 [P]. 
上村哲也 .
中国专利 :CN101333417A ,2008-12-31