功率半导体器件的场环终端及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN200910189803.5
申请日
2009-08-31
公开(公告)号
CN102005467B
公开(公告)日
2011-04-06
发明(设计)人
肖秀光 孙超
申请人
申请人地址
518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2936 H01L2102 H01L2122
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
功率半导体器件的终端及其制作方法 [P]. 
肖秀光 ;
孙超 .
中国专利 :CN102005468B ,2011-04-06
[2]
功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P]. 
王群 ;
龚逸品 ;
陈张笑雄 ;
吴志浩 ;
梅劲 ;
王江波 ;
刘榕 .
中国专利 :CN117410328A ,2024-01-16
[3]
功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
林永发 ;
张家豪 ;
石逸群 .
中国专利 :CN103545369A ,2014-01-29
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
赵树峰 .
中国专利 :CN109786453B ,2019-05-21
[5]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15
[6]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04
[7]
半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108063159A ,2018-05-22
[8]
功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230705A ,2017-10-03
[9]
功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
金镇明 ;
吴世雄 ;
李在吉 ;
崔嵘澈 ;
张浩铁 .
中国专利 :CN102738238A ,2012-10-17
[10]
功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
钟圣荣 ;
王根毅 ;
邓小社 ;
周宏伟 .
中国专利 :CN104347628B ,2015-02-11