一种相变存储器数据写入方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610348925.4
申请日
2016-05-24
公开(公告)号
CN106057236A
公开(公告)日
2016-10-26
发明(设计)人
童薇 冯丹 王芳 刘景宁 李铮 刘翔
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号
G11C1300
IPC分类号
代理机构
华中科技大学专利中心 42201
代理人
曹葆青
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
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黄崇礼 .
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史考特·刘易士 ;
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[3]
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陈岚 ;
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[4]
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[5]
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莫里斯·马里奥·尼古拉斯·斯托姆斯 ;
埃里克·玛利亚·范布塞尔 ;
雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯 ;
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[6]
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[7]
一种相变存储器的写入电路及写入方法 [P]. 
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洪红维 ;
董骁 ;
黄崇礼 .
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[8]
写入相变存储器元件的方法 [P]. 
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[9]
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侯纪伟 ;
袁之泉 ;
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[10]
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杰里米·赫斯特 ;
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