一种相变存储器的高速数据写入结构及写入方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210036654.0
申请日
2012-02-17
公开(公告)号
CN102592665A
公开(公告)日
2012-07-18
发明(设计)人
洪红维 黄崇礼
申请人
申请人地址
100176 北京市经济技术开发区宏达北路12号创新大厦A座1区4层418室
IPC主分类号
G11C1156
IPC分类号
G11C1606
代理机构
北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012
代理人
王昭林;项京
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种相变存储器的写入电路及写入方法 [P]. 
王瑞哲 ;
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[3]
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[4]
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[5]
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[9]
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[10]
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