半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711276325.2

申请日：

2017-12-06

公开(公告)号：

CN108231895A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

久田贤一新井耕一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	公开	公开
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171206

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲸井裕 .

中国专利 :CN100595924C ,2007-06-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

石垣隆士 ;

长部太郎 ;

小林孝 ;

今井丰 ;

清水雅裕 .

中国专利 :CN101000924A ,2007-07-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 ;

井上慎治 .

日本专利 :CN119480631A ,2025-02-18

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐久间崇 .

中国专利 :CN101256981B ,2008-09-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎靖 .

中国专利 :CN100481505C ,2006-12-06

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 .

中国专利 :CN109786449A ,2019-05-21

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

土屋义规 ;

西山彰 .

中国专利 :CN1738050A ,2006-02-22

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