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半导体器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410779246.7
申请日：
2024-06-17
公开(公告)号：
CN119480631A
公开(公告)日：
2025-02-18
发明(设计)人：
山口直 井上慎治
申请人：
瑞萨电子株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21/285
IPC分类号：
C23C16/455 C23C16/40 H01L21/04 H10D30/01 H10D30/66
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
姚宗妮
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-18 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
新川田裕树 .
中国专利 :CN107546232A ,2018-01-05
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
久田贤一 ;
新井耕一 .
中国专利 :CN108231895A ,2018-06-29
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
满生彰 .
中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山下朋弘 .
中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山口直 .
日本专利 :CN118804677A ,2024-10-18
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
有金刚 ;
久本大 ;
冈田大介 .
中国专利 :CN104934434A ,2015-09-23
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山川真弥 ;
馆下八州志 .
中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山田敬 ;
梶山健 .
中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
鲸井裕 .
中国专利 :CN100595924C ,2007-06-13
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
筱原正昭 .
中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11
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