半导体器件结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811021268.8

申请日：

2018-09-03

公开(公告)号：

CN109273441A

公开(公告)日：

2019-01-25

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2910 H01L2916 H01L29423 H01L2978 H01L218238

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20180903
2019-01-25	公开	公开
2020-12-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109244072B ,2019-01-18

[2]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109300896B ,2019-02-01

[3]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN111446291A ,2020-07-24

[4]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

钟汇才 ;

罗军 ;

梁擎擎 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102956483B ,2013-03-06

[5]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109244073B ,2019-01-18

[6]

半导体器件结构的制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN111446210A ,2020-07-24

[7]

半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102956457B ,2013-03-06

[8]

半导体存储器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN111354729A ,2020-06-30

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

杨智超 ;

夏远洋 ;

王强 ;

张葶葶 .

中国专利 :CN110021661B ,2019-07-16

[10]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

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